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图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究.pdf
·研究与设计·
图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备
工艺及其场发射特性研究
刘 飞,郭同叉,李 力,李立方,甘海波,陈 军,邓少芝,许宁生
(光电材料与技术国家重点实验室中山大学物理科学与工程技术学院,广东广州510275)
A MethodtoSelected-Area
Low—Temperature Synthesis
of OxideNanowireand
Investigation
Tungsten Arrays
onTheirFieldEmission
Properties
LIU
Fei,GUOTong-yi,LILi,LILi—fang,GANHal—bo,
CHEN Shao-zhi,XU
Jun,DENG Ning—sheng
(State Materialsand Province
KeyLaboratoryofOptoelectronic Technologi甜,GuangdongKeyLaboratoryofDisplay
Materialand School and Yat-sen 510275,China)
Technology,andofPhysicsEngineering,SunUniversity,Guangzhou
forfieldemittersbecausetheirlow
are attractive
Abstract:W03一,(O≤工3)nanostructuresvery
threshold ratioand current intheir are
field,highaspect high densitycapacity.But
intheir as neededfor
applications,suchhigh—temperature
manytechniqueproblemsexisting growing,
mixed whichcause the of controlled
usting catalysts,the
phasesconexisting nonuniform.Byadj type
of and nanowirehavebeen realizedatlow
growth W02 W03 arrays firstly temperature
micro-patterned
to isfoundthattheturn—onfieldandthresholdfieldof nanowirear—
(450600℃).It micro—patte
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