在半绝缘SiC衬底上制备的S波段2W碳化硅MESFET.pdf

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2015-09-04 发布于湖北
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第27卷第2期半导体学报 V01．27No．2 2006年2月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Feb．，2006 S--BandlmmSiCMESFETwith2W Output onSemi·-InsulatedSiCSubstrate Cai Ha0，Li Zha0 Shujun+，PanH0ngshu，ChenLiang，andZhenping SemiconductorResearch (Hebei 050051，China) Institute，Shijiazhuang Abstract：ASiCMESFETstructureis onasemi．insulated50mmSiCsubstrateahot． successfullyprepared using wallSiC the about1．7×1017cm～，andthethicknessisa． reactor．Theconcentrationfor channelis doping layer bout bufferis betweenthesubstrateandthechannel 0．35um．Anunintentionallyn．doped layeremployed layer．A forOhmiccontactis to10”cm～．MESFETdevicesarefabricated caplayer doped usinginductivelycoupledplas- ma andotherconventionaltools．Powerdeviceswitha1ram widtharemeasuredanda2W at etching gate output 2GHzisobtained． Keywords：MESFET；SiC；buffer layer EEACC：2560S CLCnumber：TN325+．3Documentcode：A ArticleID：0253．4177(2006)02-0266．04 +C3H8+H2system．Thegrowth typical 1 Introduction tureis～1550℃atthe the susceptortop。andsys． tern iscontrolledatabout pressure Duetoitssuperior is