在多工位炉上CeO2Bi12SiO20单晶生长的研究(Ⅱ)-空间生长实验部分.pdf

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在多工位炉上CeO2Bi12SiO20单晶生长的研究(Ⅱ)-空间生长实验部分.pdf

第10卷第2期 无机材料学报 V01.19No2 of Materials Mar.2004 2004年3月 Journal Inorganic 文章编号:1000—324X(2004)02—0283-06 在多工位炉上Ce02:Bil2Si020单晶生长的研究(Ⅱ) 一空间生长实验部分 周燕飞1,王锦昌1,唐连安1,陈诺夫2,陈万春3 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050;2中国科学院半导体研究所,北 京100083;3中国科学院物理研究所,北京100080 摘 要:掺Ce:Bi-zSiO。o单晶在神舟3号(SZ-3)飞船卜成功地进行了空间生长,得到晶体 尺寸为庐10mmx40mni将空间乍长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同 地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的X射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光 谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体,掺Ce对BSO 晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体 关键词:掺铈硅酸铋(Ce:BSO);晶体生长;微重力,多工位炉;喇曼光谱 中图分类号:078 文献标识码:A 1引言 硅酸铋Bil2Si020(简称BSO)晶体由于其优良的光折变效应.广泛用在光数据存储、实 时全息术、空间光调制器等光学信息处理等领域【“…. Bil2Si020晶体属于立方晶系,体心结构,空间群为123BSO晶体的总体结掏为填隙排 列,由Si—O四面体和七配位的Bi一0多面体共顶点连接而成吼在BSO晶体巾未被si等离 子占据的空位很多,掺人杂质离子,易占据si或Bi的空位.目前对掺杂的BSO晶体的生 长和性能研究工作已有许多报道[7“…,研究发现掺杂离子的种类和数量会不同程度地影响 BSO晶体的光学性能,同时易引起晶体组分的不均匀p,l“. BSO晶体的组分变化和存在的缺陷会严重影响其光学性能和应用,因此借助于空间微 重力的优越环境来研究掺Ce:BSO晶体的生长机理及缺陷对晶体光学性能的影响.在空间 由重力引起的熔体浮力对流、溶质沉淀和熔体静压力明显削弱,可以实现以纯扩散方式为 主的晶体生长,并使生长界面保持稳定,从而可显著提高掺杂晶体的组分均匀性和结构完 整性,有利于扩展其在光通信和信息存储方面的应用. 本文对在神舟3号飞船上生长掺Ce:BSO晶体的形貌、结构和光学性能进行了分析并同 地面生长的晶体进行了对比. 0404 收稿日期:2003—0307,收到修改稿日期:2003 shcncacCi2 E-mail:yfzttou(@sunm 作者简介.周燕飞(1965一),女,硕士.副研究员 万方数据 无机材料学报 19卷 2实验 选用原料纯度为99 o.01wt%的Ce02经混料,熔化、浇铸成Ce:Bil2Si020的多晶料棒考虑到Ce:BSO的掺杂 浓度很低,纯BSO晶体和掺杂BSO晶体的结构差异小,因此选用纯BSO晶体作为籽晶, 籽晶的生长方向为111.将籽晶和Ce:BSO多晶料棒装入白行设计的专为空间生长实验 所准备的石英安瓶中【“J,然后将封接好的Ce:BSO样品安瓿放人多工位炉进行晶体生长实 验. 长过程巾的重力水平约为10~g 为了同空间得到的晶体进行对比,在地面将同一批次

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