埋层应变对溅射生长 Ge 量子点的影响.pdf

年第 期( )卷 １５１４８ ２０１４ １５ ４５ 文章编号: ( ) １００１-９７３１ ２０１４ １５-１５１４８-０５ 埋层应变对溅射生长 量子点的影响∗ Ge , , , , 周 曦 王 茺 杨 杰 靳映霞 杨 宇 ( , ) 云南大学 工程技术研究院光电信息材料研究所 昆明 ６５００９１ : / , 要展开深入研究. 摘 要 利用离子束溅射制备双层 量子点 通 Ge Si 过变化 隔离层厚度和 沉积量研究了埋层应变场 本文利用离子束溅射结合原子力显微镜与 Ra- Si Ge . 光谱研究了不同隔离层厚度下双层结构表面 对量子点生长的影响 实验中观察到隔离层厚度较薄 man Ge , , . 时 双层结构中第 层量子点形成的临界厚度减小 生２ 岛的生长演变过程 通过与单层结构对比的结果表 ; , , , 长过程提前 此外 随着 沉积量的增加 第 层量子 明 由埋层 岛引入并在 隔离层中分布的应变场 Ge ２ Ge Si , , 点密度维持在一定范围 分布被调制的同时岛均匀长 将对下 层岛的生长发挥重要的调制作用 使生长过１ . , 程呈现出特殊的差异. 大呈现单模分布 增大隔离层厚度 埋层岛的生长模 . 式在第 层岛生长时得到复制 通过隔离层传递的不２ ２ 实 验 均匀应变场解释了量子点生长模式的变化. 关键词: ; ; 实验采用 型超高真空磁控与离子束联 埋层应变 量子点生长 离子束溅射 FJL５６０Ⅲ : : / . 中图分类号 O４８４．１ 文献标识码 A 合溅射设备的离子束溅射室生长 Ge Si 量子点 基片 : / ( ) , 为 型