基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备.pdf

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2015-09-04 发布于湖北
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基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备.pdf

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第29卷第8期半导体学报 V01．29No．8 2008年8月 JOURNALOFSEMICoNDUCTORS Aug．，2008 of(SiFe)CDMSBased4H—SiCSubstrate+ Preparation JiangYanfcn912·+andWangJianpin92 (1 100041，China) MicroelectronicCenter，CollegeofInformationEngineering，NorthChinaUniversityofTechnology，Belting (2Center and and D，Electrical fo，MicromagneticsInformationTechnology，DepartmentComputerEngineering， UniversityD，Minnesota，Minneapolis，MN55455，USA) hasbeen substrate．ItsCurie Abstract：Adiluted 4H-SiC Feionsintothe magnetic preparedbyimplanting temperature 320Kand is includesthree reachesas as its withcurrentIC．Moreover，the high technologycompatible process annealing HNH inthis this hasbeen havebeen steps，namedannealingpaper．Eachstepduringannealing analyzed．Comparisons ofFeis madewithdifferentFeconcentrationsand resultsdemonstratethatwhentheconcentration0．051， experimental theCurie isthe tomeasurements，someofthis is temperaturehighest．According explanationphenomenongiven． diluted Keywords：spintronics；magneticsemiconductor；annealing；Curietemperature EEACC：0500；0520X CLCnumber：TN286Documentcode：A ArticleID：0253．4177(2008)08．1436—05 Some