基于AuAu直接键合的高亮度ODRLED.pdf

第29卷第3期 固体电子学研究与进展 V01．29，N。．3 2009年9月 OFSSE Sep．，2009 RESEARCH＆PROGRESS ．__】‘。I- 七=】 Cj 基于Au／Au直接键合的同冗度ODRLED‘ 李一博 郭 霞“ 关宝路 揣东旭 沈光地 (北京工业大学北京市光电子技术实验室，北京，100124) 2008·12—19收稿，2009—03一ii收改稿 摘要：提出利用Au／Au直接键合制作高亮度全方位反光镜(ODR)LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底，氧 化铟锡(ITO)做窗口层和缓冲层，在0．35mPa压力，260。C的低温下实现Au／Au固相直接键合。直接键合后，AI- GalnP有源区与Si衬底结合牢固完整，保证了全方位反光镜的性能。在正向电流20mA下，键合ODR结构LED的 正向压降是常规吸收衬底LED的80％，光输出功率和流明效率是常规吸收衬底LED的1．5倍和2．1倍。 关键词：铝镓铟磷；硅衬底；氧化铟锡；全方位反光镜；直接键合；发光二极管 中图分类号：TN304；TN312+．8文献标识码：A 文章编号：1000-3819(2009)03—399—04 LEDBasedon Wafer ODR Au／Au Bonding HighBrightness Baolu SHEN LIYiboGUOXiaGUAN CHUAI Guangdi Dongxu of Lab，Beijing，100124，CHN) (BeijingUniversityTechnology，Optoelectronic reflec— omni—directional Abstract：AefficientA1GalnP diode(LED)with high lightemitting directwafer was whichSiwasusedas tor(ODR)fabricatedAu／Au proposed，in by bonding buffer transfer tin indium usedaswindowand layer． substrate．and oxide(ITO)was layer doped as removedtheGaAssubstrateoftheA1GaInPwaferand Au／Au interfac