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AFM分析磁控溅射法制备的TiO2纳米薄膜.pdf
第 卷 第 期 武 汉 化 工 学 院 学 报
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年 月
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文章编号!##$ $%’()##*+# ##*) #$
,-. 分析磁控溅射法制备的/01 纳米薄膜
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林志东 刘黎明
2
武汉化工学院材料科学与工程学院 湖北 武汉
(3 2 $##%$4
北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京
)3 2 ###))+
摘 要 采用磁控反应溅射法 在室温条件下制备了 纳米薄膜 用原子力扫描显微镜 分析考察了
! 2 ) 2 ( +
/01 ,-.
溅射功率 溅射时真空室压力等工艺参数对薄膜结晶状态 晶粒尺寸的影响 实验结果表明 在室温下 只有溅
5 5 3 2 2
射功率大于 以上时 才能形成粒子结晶完全的纳米薄膜 随着溅射功率的增加 真空室溅射气压的降
## 2 2 2
6
低 薄膜中 粒子尺寸显著增大 随着溅射时间的延长 薄膜厚度增加 并根据溅射薄膜的成膜机理 讨论
2 ) 4 2 3 2
/01
了实验工艺参数对薄膜微结构的影响3
关键词 磁控溅射 薄膜
! 4 4 )
,-. /01
中图分类号! $7$3* 文献标识码!
1 ,
频源频率 最大功率 样品制备
3*’ 2 ## 2
# 引 言 .@A 6
采用高纯金属钛靶为靶材 基片材料选用
2 D
BC
二氧化钛薄膜是一种在可见光区具有高透过 的石英片和 D 的氧化锡铟( +
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