AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究.pdf

第 卷第 期 半 导 体 光 电 21 2 Vol . 21 No . 2 年 月 2000 4 Semiconductor O toelectronics A r . 2000 p p 文章编号： （ ） 1001 - 5868 2000 02 - 0111 - 04 Al! Ga0 .51 - ! In0 .49 P 光学性质的研究 1 1 1 1 2 2 2 3 连 洁 ，张淑芝 ，卢 菲 ，魏爱俭 ，黄伯标 ，崔德良，秦晓燕 ，王海涛 （ 山东大学 光电系，济南 ； 山东大学 晶体材料所，济南 ； 山东大学 环境工程系，济南 ） 1. 250100 2 . 250100 3 . 250100 摘 要： 用 方法在 衬底上生长了 的本征及掺 或掺 三个样品。 M OCVD GaAs AlGaInP Si Mg 用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数，并求其介电函数的三级微商谱。用三点 比例内插法分析介电函数的三级微商谱，精确地得到样品的带隙 、 以及 以上成对结 + ! g g 0 g 构跃迁的能量位置，并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴 定。 关键词： 半导体薄膜技术；椭偏光谱；三点比例内插；能带隙 中图分类号： + ； 文献标识码： T N304 . 2 3 T N304 . 055 A Study on 0ptical Properties of Al! Ga0 . 51 - ! In0 . 49P 1 1 1 1 2 ， ， ， ， ， LIAN Jie ZHANG Shu-zhi L U Fei WEI Ai- ian HUANG Bo-biao