Au／PZT／BITp-Si结构铁电存储二极管存储特性.pdf

（ 辑） E 第 卷 第 期 （ ） 年 月 360ET6E 0T 6U0T* 3IG4IV E 9## 9 !# $%# ’(# )*+, 结构铁 电存储二极管 存储特性 ! 于 军! 王 华! 董晓敏! 周文利! 王耘波! 郑远开! 赵建洪! 谢基凡! （ 华中科技大学电子科学与技术系，武汉 !##$! ； 桂林电子工业学院电子信息分院，桂林 %!##! ） ! 摘要 采用脉冲激光沉积方法（ ）制备了 结构铁 电存储二极 ’() *+, ’-., /0., 1234 管 对其铁电性能和存储特性进行了实验研究 铁 电性能测试显示较饱和的、不对 5 5 称的电滞回线，其剩余极化和矫顽场分别约为 9 和 ； = 次开关极 % 6, 78 !: ;, 78 # # 化后剩余极化和矫顽场分别仅下降 #和增加 9 ；观察到源于铁电极化的 ! # 和 $ # 特性回线；电流密度 电压下为 B : 9 ；在 的读电压下，读“” ? ! @ % $ A # *, 78 ? 9 和读“”电流有 的明显差别；保持时间达 以上 # # 5#% * # 84C % # 关键词 铁电薄膜 铁电存储二极管（ ） 存储特性 脉冲激光沉积（ ） -./ $0/ 铁电存储器件由于其潜在的高速、高密度、低工作电压和低功耗而引起了科学家们的极大 ［， ］ 兴趣并得到了广泛的研究 9 铁 电场效应晶体管（ ）以金属 铁 电 半导体（ ）结构为 5 DDE. 2 2 FD3 基本存储单元，它 以铁 电薄膜取代传统场效应晶体管中的栅介质层，通过栅极的极化状态 （ ， ）对源 漏电流的调制来实现信息的存储读取，这种读取是非破坏性的，是一种比 ? B G G 较理想的存储方式% 但 D, 3 界面问题而导致高的漏电流和低的保持力仍是阻碍其实用化的关 键之一 铁电存储二极管（ ，简称 ）同属 结构器件，它同样能 % HIGGJIKI7LG47 8I8JGM N4JNI DF) FD3 够实现非易失性存储、非破坏性读出，但结构设计