CMP后的晶圆的测量和评估方法研究.pdf

L锄‘j麴卿堕些墅坐塑鲤唑些蜊煎团麴题型登啦壁 一 ：奎塑童墅：·本期专墅二 CM P后的晶圆的测量和 评估方法研究 周国安，柳滨，王学军，种宝春，詹阳 (中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊101601) 摘 要：综述了CMP后的晶圆测量方法，比较指出：光学干涉法适宜于测量较厚的薄膜．而椭 圆偏振法精度较高，但成本高昂，适宜于测量薄的薄膜。CMP后需要检测晶圆的表面状况．列 举了常用的扫描电子显微镜、原子力显微镜和光散射探测仪。扫描电子显微镜常用于特征线宽 的测量，其精度可达4nnl；原子力显微镜是根据范德华力的原理制造，其探测精度高达0．1nnl； 但二者最大的缺陷就是操作复杂，成像十分费时。散射探测仪根据光的散射理论制造．可以快 捷地全表面成二维图像，是值得推荐的一种测量手段。最后。指出今后的测量技术对半导体工 艺的影响。 关键词：化学机械平坦化；光学干涉法；椭圆偏振法；扫描电子显微镜；原子力显微镜；散射探测仪 中图分类号：TN305．2 文献标识码：A onMeasurementand Study EvaluationofPost·--CMP ZHOU Guoan，LIUBin，WANG Baochun，ZHAN Xuejun，CHONG Yang 45thResearchInstituteof (The CETC，East 101601，China) Yanjiao，Beijing Abstract：Thedetailedoverviewthemeasurementmethodsof outwith paper post-CMP，andpointing issuittothicker has film，and comparison：spectroscopicreflectometry spectroscopicellipscometry but issuitablefor thin havetounderstandthe high very film；we precision expensive．it measuring wafer after the toolsare electron profileCMP，usuallymetrology scanning force electron isused for the microscope(ATM)andscatterometry．Scanningmicroscope measuring linewidth．whichis to4nm，atomicforce iS on basedvanderwaalsforce accura