- 1、本文档共52页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
3_无源元件(第三章).pdf
第三章 无源元件
引言
趋肤效应
分立无源元件
集成无源元件
有源电感
硅衬底上的传输线
第三章 Z. Q. LI 1
引言
衡量一种工艺是否适合于射频电路的集成不仅要看它能否提供高频性能优良的晶
体管,还要看它能否提供高品质的无源元件
– 分立无源元件和有源元件相比价格低,且容易实现。
– 与分立元件电路设计相反,集成电路中晶体管随手可得而且所占面积越来越小,
而无源元件却因占用面积较大,代价昂贵。并且由于要兼顾整体性能,尤其是晶
体管的性能,集成无源元件的品质常常差强人意,因此无源元件的大量使用对集
成显然是不利。
– 随着工艺的发展,当晶体管性能已经获得大幅度的提高,无源元件逐步成为电路
集成的瓶颈时,改进工艺就显得有必要。例如CMOS工艺,目前有混合信号/射频
CMOS工艺(Mixed-Signal/RF CMOS),它们与传统CMOS工艺的主要区别在于提
供了顶层厚金属(2um, 4um) ,用于实现较高品质的无源元件,同时提供RF
MOSFET。
集成无源元件的选择依据:成本( 占用面积小)、品质因数、工作频率、寄生参数、
容差(Tolerance)、匹配(Matching)、稳定性(温度系数)、线性度(是否随电压变化)
等
第三章 Z. Q. LI 2
引言
集成电路中的 “层” (Layer)
– 集成电路是在一块基座上不同几何尺寸的不同材料的堆砌
• 基座:衬底(Substrate),机械支撑作用,构成元件的基本材料
• 半导体:不同掺杂浓度的半导体材料,主要用于形成有源器件
• 绝缘层:二氧化硅等,用作隔离和介质
• 连接层:金属、多晶硅,器件之间的连接;可构成电阻、电容、电感
– 硅(CMOS)工艺中的物理层
• P型或N型硅衬底,典型电阻率约10Ω-cm,数百微米厚
• P阱、N阱(P-well, N-well),方块电阻1kΩ,制作晶体管的基础,阱与阱之间,阱与衬
底之间具有隔离作用
• P型和N型扩散层(P-diff, N-diff),MOS管的源、漏极
• 多晶硅(Polysilicon或Poly)
• 金属(M1,M2,…..)
• 接触孔(Contacts, Metal-Si) 和过孔(Vias, Metal-Metal)
第三章 Z. Q. LI 3
趋肤效应
电流分布
─ 直流电流
对于直流信号来说,导线的全部横截面都用来传输电流,电流均匀
分布于整个横截面,直流电流密度可以表示为
I
J
0
S
其中I 为直流电流,S 为导线的横截面积。
对一个半径为a,长度为l ,电导率为σ 的圆柱形导体,其直流电阻
为
a l
R
文档评论(0)