电沉积ZnO纳米棒阵列膜制备及其透光性能研究.pdfVIP

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2015-09-09 发布于重庆
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电沉积ZnO纳米棒阵列膜制备及其透光性能研究.pdf

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第 14卷　第 4 期电化学 Vol. 14　No. 4 2008年 11月 EL ECTROCH EM ISTRY Nov. 2008 文章编号 : 1006347 1 (2008) 040394 04 电沉积 Zn O 纳米棒阵列膜制备及其透光性能研究叶　锋 , 李晶晶 , 王同涛 , 王永亮 , 刘　芸 , 王新东 (北京科技大学冶金与生态工程学院物理化学系 , 北京 100083) 应用阴极恒电流电沉积法 , 以 ZnCl 水溶液为电解液 ,在经预处理的 ITO 导电玻璃上制备 ZnO 纳米摘要 : 　 2 ( ) ( ) 棒阵列 ,扫描电子显微镜 SEM 、X射线衍射 XRD 及透射光谱等测试表明 , ZnO 纳米棒阵列具有 c轴高度择优取向 ,呈六方纤锌矿结构. 当入射光波长大于 380 nm 时 , ZnO 纳米棒阵列的透光率大于 95% ,并且禁带宽度变窄. 关键词 : 　ZnO 纳米棒阵列 ; 电沉积 ; 预处理 ; 透光性中图分类号 : 　O646 文献标识码 : 　A 　　ZnO 是一种宽禁带 ⅡV I族半导体材料 [ 1 ] ,来 1. 1　试剂和仪器源丰富、无毒、无害、无污染 ,在短波长光电器件、化 ( ) ( ZnC l 北京化学试剂公司 , KC l 北京化工 2 学传感器、光伏器件等领域具有广泛的应用前 ) ( ) ( 厂 , CH CH OH 北京化工厂 , CH COCH 北京 3 2 3 3 景 [ 24 ] . 室温下 ZnO 禁带宽度为 3. 37 eV [ 5 ] ,呈六方 ) 化工厂 , 以上试剂均为分析纯 ,溶液用二次去离纤锌矿结构 , 晶格常数 a = 0. 325 nm , c = 0. 52 1 子水配制. nm ,其激子束缚能高达 60 m eV [ 6 ] ,远远超过 ZnSe 电化学测量使用电化学工作站 VM P2 M u lti (22 m eV ) 和 GaN