磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究.pdfVIP

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2015-09-09 发布于重庆
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磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究.pdf

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第 3 1 卷　第 12 期武　汉　理　工　大　学　学　报 Vol . 3 1 　No . 12 2009 年 6 月 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 　J un . 2009 DO I :10 . 3963/ j . issn . 167 1443 1. 2009 . 12 . 0 13 磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究 1 1 2 2 1 2 张小玲 ,孙晓冬 ,张　凯 ,胡　光 ,胡靖华 ,顾豪爽 ( 1. 武汉理工大学理学院 ,武汉 430070 ;2 . 湖北大学铁电压电材料重点实验室 ,武汉 430062) 摘　要 : 　氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度 ,是薄膜体声波谐振器/ 滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对 AlN 薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究 ,通过对 AlN 薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较 ,优化了取向性 AlN 薄膜的生长工艺条件 ,制备出了高取向和高致密的AlN 薄膜。关键词 : 　氮化铝 ; 　取向性 ; 　反应磁控溅射 ( ) 中图分类号 : 　TB 383 文献标识码 : 　A 文章编号 : 167 1443 1 2009 Growth Process of Pref erential Orientation of Al N Thin Fil ms by Magnetron Reactive Sputtering 1 1 2 2 ZHA N G X iaol i ng , S UN X iaodong , ZHA N G Kai , H U Guang , 1 2 H U J i ngh ua , GU H aos h uang ( 1. School of Sciences ,Wuhan University of Technology , Wuhan 430070 ,China ;2 . The Key Lab of Ferro Piezoelectric Materials and Devices of Hubei Province ,Hubei University , Wuhan 430062 ,China) Abstract :　Orientation of AlN t hin film is very important to it s piezoelectric characteristic and acoustic wave velocity , it is one of t he most important key factors in film bulk acoustic wa