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HIRFL高频腔体功率耦合匹配实验研究,高频耦合电容,耦合线圈的匹配理论,高频耦合,高频信号耦合,高频耦合器,腔体耦合器,腔体耦合器作用,腔体耦合器原理,腔体耦合
第 15 卷 第 5 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 15 ,No. 5
2003 年 5 月 HIGH POWER LASER AND PARTICL E BEAMS May ,2003
文章编号 (2003)
HIRFL 高频腔体功率耦合匹配实验研究
郑启文 , 张生虎 , 高宜海 , 李智慧 , 郁 奇 , 俞鸣峰
( 中国科学院 近代物理研究所, 甘肃 兰州 73000)
摘 要 : 介绍了 HIRFL 主加速器 SSC 高频腔体功率馈入耦合匹配系统的研究 ,实验结果表明 ,通过改变
耦合环角度可更好地实现高频腔体和高频发射机之间的匹配 ,提高了高频腔体电压和高频发射机的工作效率。
关键词 : 高频腔体电压 ; 功率馈入 ; 耦合匹配
中图分类号 :O 文献标识码 :A
HIRFL 主加速器 SSC 高频腔体电压设计值为 100~250kV ,分别对应 6. 5~14MHz 的频率范围。但是 , 自
从 HIRFL 投入运行以来 ,SSC 高频腔体电压一直工作在其设计值大约一半的电压下 ,这在很大程度上影响了
主加速器 SSC 引出的束流强度。
随着兰州重离子加速器冷却储存环 HIRFLCSR 的建设 ,需要从 SSC 引出更强的束流。提高 SSC 高频腔
体电压 ,对于提高 SSC 的注入效率和引出效率是非常必要的。影响 SSC 高频电压的主要因素是高频发射机与
高频腔体之间的匹配问题。以前因为对高频腔体耦合匹配性能研究不足 ,再加上 SSC 高频腔体中位置固定的
耦合环难以满足 6. 5~14MHz 工作频带的匹配要求 ,造成高频反射功率较大 ,限制了高频腔体电压的进一步提
高。本文通过对耦合环角度与耦合程度的实验研究与分析 ,提出一种提高 SSC 高频腔体电压的可行方法。
1 高频腔体耦合匹配研究
( )
HIRFL 主加速器 SSC 高频腔体 图 1 采用电感耦合
方式馈入高频功率。耦合环位于高频腔体内侧上方 ,耦合
θ
环与高频腔体内杆形成一定的夹角 。当耦合环平面垂直
θ
于高频腔体内杆轴线时 ,夹角 = 0 。通过调整该夹角可以
改变耦合环与腔体的耦合程度 ,夹角越小耦合越强。
对于某一频率 ,高频腔体可以等效为一个 RLC 并联谐
振回路。其谐振频率 ω ,等效电感 L ,并联阻抗 R ,等效电
0
容 C ,加速间隙的峰值电压 V P ,腔体品质因数 Q 值以及消
耗功率 P 之间满足如下关系 :
2
V P R Q0 1
ω Fig. 1 SSC RF cavity
R = , L = , C = , 0 = 。
2 P ω Q ω R
0 0 0 L C 图 1 SSC 高频腔体示意图
电感耦合方式的耦合环应放在高频腔体内部磁场较强
的区域 ,通过高频磁场的相互作用 ,将高频发射机产生
的高频功率馈入高频腔体。其作用可以用耦合环自感
L C 及其与腔体的互感 M 来等效。电感耦合高频腔
体的等效电路如图 2 所示。
通过求解图 2 回路方程 ,得到高频腔
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