07半导体第六章习题解答.pptVIP

* 2、 解、 P 中性区 电子扩散区 势垒区 空穴扩散区 N 中性区 P N + - 内建电场 小注入下，P区接电源正极，N区接电源负极，势垒高度降低，P区空穴注入N区，N区电子注入P区。 注入电子在P区与势垒区交界处堆积，浓度高于P区平衡空穴浓度，形成流向中性P区的扩散流，扩散过程中不断与中性P区漂移过来的空穴复合，经过若干扩散长度后，全部复合。 注入空穴在N区与势垒区交界处堆积，浓度比N区平衡电子浓度高，形成浓度梯度，产生流向中性N区的空穴扩散流，扩散过程中不断与中性N区漂移过来的电子复合，经过若干扩散长度后，全部复合。 3、 解、 P 中性区 电子扩散区 势垒区 空穴扩散区 N 中性区 P N 反向情况下，P区接电源负极，N区接电源正极，势垒区电场强度增加，空间电荷增加，势垒区边界向中性区推进。 势垒区与N区交界处空穴被势垒区强电场驱向P区，漂移通过势垒区后，与P区中漂移过来的空穴复合。中性N区平衡空穴浓度与势垒区与N区交界处空穴浓度形成浓度梯度，不断补充被抽取的空穴，对PN结反向电流有贡献。 同理，势垒区与P区交界处电子被势垒区强电场驱向N区，漂移通过势垒区后，与N区中漂移过来的电子复合。中性P区平衡电子浓度与势垒区与P区交界处电子浓度形成浓度梯度，不断补充被抽取的电子，对PN结反向电流有贡献。 反向偏压较大时，势垒区与P区、N区交界处的少子浓度近似为零，少子浓度梯度不随外加偏压变化，反向电流饱和。 4、 证明、 （证毕） 5、 解、 硅突变PN结， N区、P区多子浓度， 正向电压、小注入下，忽略势垒区复合和表面复合，空穴电流密度等于势垒区与空穴扩散区交界处的空穴扩散电流密度，电子电流密度等于势垒区与电子扩散区交界处电子扩散电流密度， 饱和电流密度， 0.3V正向电压下的电流密度， 6、 硅突变PN结， （-10V）下的势垒宽度， （-0V）下的势垒宽度（平衡势垒宽度）， （0.3V）下的势垒宽度, （-10V、0V、0.3V）下的单位面积势垒电容由下式计算， 7、 解、硅二极管的反向饱和电流密度， 当温度从300K增加到400K时， 反向电流增加主要由指数项决定，作为近似，取 ， 8、 解、硅线性缓变PN结， 势垒区宽度， 9、 解、 平衡势垒高度 平衡势垒宽度 P N - N + 10、 解、 由泊松方程求上述电荷分布区域中的电场、电位， （1） 若　　 （２） （３） 1１、 解、对n+-p结, 势垒区宽度, 当 当 12、 解、对p +- n 结, 最大电场强度在冶金结 处， 13、 解、对p +- n 结, 最大电场强度在冶金结 处，此处首先发生击穿, 发生击穿时的击穿电压, 室温下,电子隧道穿透几率, ， 14、 解、 对硅半导体, 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ *