ESAM产品说明及应用操作指令流.docVIP

芯片说明手册 目录 一、电气特性 2 1. 芯片参数 2 2. 电气特性 2 3. DC参数 3 4．引脚说明 4 二、指令流 6 1. 指令说明 6 1.1 主控公钥更新指令 6 1.2 主站公钥本地更新指令 6 1.3 终端非对称密钥对注册指令 7 1.4 主站公钥远程更新指令 8 1.5 终端非对称密钥更新指令 9 1.6 终端对称密钥更新指令 10 1.7 公钥验证指令 11 1.8 MAC运算指令 12 1.9 取响应数据指令 14 1.10 读二进制文件指令 16 1.11 选择文件指令 18 1.12 写二进制文件指令 19 2. 指令流举例 20 2.1主控公钥更新流程 20 2.2 主站公钥本地更新流程 21 2.3 终端非对称密钥对注册流程 21 2.4 主站公钥远程更新流程 22 2.5 终端非对称密钥更新流程 22 2.6 终端对称密钥更新流程 23 2.7 主站参数设置流程 23 一、电气特性 1. 芯片参数 容量：32K Byte 工作电压：3V、5V 波特率：9.6kbps ~56 kbps 数据保存时间：10年（25℃） 写删次数：50万次（25℃） ESD（抗静电）：4kv(HBM) 2. 电气特性 2.1 最高绝对限额 符号 描述 最小 最大 单位 TS 存储温度 -40 85 °C VCC 电源电压 2.7 5.5 V VESD 最大ESD 电压，HBM 4000 4000 V 最高绝对限额表  2.2 电压、温度以及频率电气特性 符号 描述 最小 典型 最大 单位 TA 环境温度——正常温度 -40 20 85 °C VVcc 电源电压 2.7 5.0 5.5 V IVcc Frequency:20Mhz, Vcc=5v -15 -20 -30 MA Finter-cpu 内部CPU 核频率范围 5 20 40 MHz 电压、温度以及频率电气特性 3.DC参数 DC特性包括每一个引脚地输入门限以及输出驱动电压及电流。这些参数能够决定最大的DC负载，并决定给定负载的条件下的最大的传送时间。下表显示了高低电压输入、输出以及IO引脚情况下的DC操作条件，所有的DC参数值在整个温度范围内有效。  符号 描述 最小 典型 最大 单位 输入 DC 操作条件 VIH 输入高电压，所有标准输入和双向端口 0.7Vcc - Vcc +0.3 V VIL 输入低电压，所有标准输入和双向端口 -0.3 - 0.2Vcc V ILIH 输入漏电流（输入高电压） - - 5 uA ILIL 输入漏电流（输入低电压） - 100 250 uA 输出DC 操作条件 VOH 输出高电压，所有标准输出和双向端口 Vcc -1.0 - - V VOL 输出低电压，所有标准输出和双向端口 - - 0.8 V IOH 输出高电流，所有标准、高强度输出以及双向端口(VO=VOH) 15 20 35 mA IOL 输出低电流，所有标准、低强度输出以及双向端口 (VO=VOH) -5 -9 -15 mA IO 上下拉电阻 RPU 内置上拉电阻 36 82 120 KΩ RPD 内置下拉电阻 - - - KΩ DC参数表 4．引脚说明 4.1 ESAM模块管脚分配及封装图 ESAM模块管脚分配图 4.2 ESAM模块管脚说明表 管脚号 分　 管脚号 分　 1 地 （GND） 5 （） （） 6 （CLK） /输出 （I/O） 7 （RST） （） 8 （V）  ESAM模块封装图 二、指令流 1. 指令说明 主控公钥更新指令 该指令分两次发送给ESAM模块。 第一次发送指令结构 0x90 0x 40 0x 00 0x 00 0x 92 0x 62 0x 90 主控公钥（144字节） 第二次发送指令结构 0x80 0x40 0x00 0x00 0x82 0x60 0x80 数据签名（128字节） 上述指令执行成功，ESAM返回9000；否则返回错误代码如下： 命令响应状态码 SW1 SW2 意义 90 00 正确执行 67 00 数据长度错误 69 84 未取随机数 90 71 写公钥文件错误 90 72 指令结构错误 90 73 SM1密钥错误 90 74 验签文件类型不匹配 90 75 验签文件未找到 90 86 RSA验签错误 90 8C SM1解密数据错误 主站公钥本地更新指令 该指令分两次发送给ESAM模块。 第一次发送指令结构 0x 90 0x 34 0x 00 0x 00 0x 92 0x 62 0x 90