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2.6 CMOS逻辑门电路
2.6.0 复习MOS管的有关知识
2.6.1 CMOS反相器
2.6.2 CMOS门电路
* 2.6.3 BiCMOS门电路
2.6.4 CMOS传输门
* 2.6.5 CMOS逻辑门电路的技术参数
1
2.6.0 复习MOS管的有关知识
大规模集成芯片集成度高,所以要求体积小,而
TTL系列不可能做得很小,但MOS管的结构和制造工
艺对高密度制做较之TTL相对容易,下面我们介绍
MOS器件。
与双极型电路比较,MOS管的优点是功耗低,
(可达0.01mw ),缺点是开关速度稍低。在大规
模的集成电路中,主要采用的是CMOS 电路。
2
2.6.0 复习MOS管的有关知识
1. N沟道MOS管的结构
金属铝
绝缘层
沟道区域
P型衬底
3
2.6.0 复习MOS管的有关知识
2. 工作原理
• 当G、S间加上正电压,
•V =0时,则D、S之间
GS
且V V 时,栅极与衬
相当于两个PN结背向的
GS T
底之间形成电场,吸引
串联, D、S之间不通,
衬底中的电子到栅极下
i =0。
D
面的衬底表面,形成一
个N型的反型层--构成
D、S之间的导电沟道。 P型衬底
反型层
•V 被称为MOS管的开
T (导电沟道)
启电压。
•由于V =0时,无导电沟道,在增强V 电压后形成导电沟
GS GS
道,所以称这类MOS管为增强型MOS管。
4
2.6.0 复习MOS管的有关知识
2. 工作原理
N沟道增强型MOS管具
有以下特点:
•当V V 时,管子截
GS T
止,相当于开关断开;
•当V V 时,管子导
GS T
通,导通电阻很小,相
当于开关闭合 。 P型衬底
同样,对P沟道增强 反型层
型MOS管来说: (导电沟道)
•当|V | |V |时,管子截止,相当于开关断开;
GS T
•当|V | |V |时,管子导通,导通电阻很小,相当于开关闭合。
GS T
5
2.7 N
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