膜生物反应器(MBR)计算书2008.9.18.xls

工艺计算 下搅拌曝气量(m3/片.h) 下层间歇曝气平均值(m3/h) 下层曝气连续曝气平均值(m3/h) 膜曝气总风量 峰值水量时瞬时通量(L/m2.h) [3] [4] [5] [6] 参数 代号 计算值 处理流量 Q 总变化系数 Kz 设计平均进水水质 S0 BOD5 in Tp in NH3 in TN in 进水总SS (mg/L) TSSin 进水有机SS (mg/L) VSSin 进水无机SS (mg/L) SSin,iorg SSin,iorg=TSSin-VSSin 进水不可生物降解VSS (mg/L) nbVSS in 进水碱度 以CaCO3计 (mg/L) 进水最低温度（℃） Tl 进水最高温度（℃） Th 排放标准 CODcr (mg/L) CCOD,ET BOD5(mg/L) CBOD,ER TP (mg/L) CP,ER 氨氮 （mg/L) CNH4,ER TN CTN,ER SS CTSS,ER Se BOD5 TPe Ne TNe TSS TSe 日处理负荷 CODcr 负荷 (Kg/d) Cd,COD BOD5 负荷 (Kg/d) Cd,BOD TP负荷 (Kg/d) Cd,P 氨氮负荷 (Kg/d) Cd,NH4 TN负荷 (Kg/d) Cd,TN 处理程度 Nf 生化反应动力学参数 产率系数 （gVSS/gBOD.d） Y typical0.4-0.8，[4]P585 产率系数（gVSS/gCOD.d） typica0.3-0.6，[4]P585 20℃最大比增长速率(gVSS/gVSS.d) 20℃μm typica3-13.2，[4]P704 设计温度最大比增长速率(gVSS/gVSS.d) μm 20℃μn * 1.07（T-20）[4] 半速率常数(gCOD/gVSS.d) 20℃Ks typical5-40， [4]P704 Ks 20℃Kn * 1.053（T-20） 内源消耗系数（gVSS/gVSS.d） Kd20 typical0.06-0.15，[4]P704 Kd Kd20 * 1.04（T-20） ，[4]P705 20℃硝化菌最大比增长速率 (gVSS/gVSS.d) 20℃ μnm 0.2-0.9，typical0.75 [4]P705 设计温度下硝化菌最大比增长速率(gVSS/gVss.d) μnm 20℃μnm * 1.07（T-20） 20 ℃半速率常数 (gNH3/M3) 20℃ Kn 0.5-1.0,typical 0.74,[4]P705 设计温度下半速率常数(gNH3/M3) Kn 20 ℃硝化菌内源消耗系数(gVSS/gVSS.d) 20℃ Kdn 0.05-0.15,typical0.08,[4]P705 T ℃硝化菌内源消耗系数(gVSS/gVSS.d) Kdn 20℃μnm * 1.04（T-20） 硝化产率系数 (gVSS/gNH3) Yn 0.10-0.15,typical0.12,[4]P705 硝化氧抑制系数 (g/m3) Ko 0.4-0.6,typical0.5,[4]P706 溶氧 (g/m3) DO 出水NH3浓度 (g/m3) N 完全硝化考虑 硝化菌比增长速率 μn (μm*N/Kn+N)*[DO/(Ko+DO)]-Kdn，[4]P679 SRT确定 硝化安全系数 SFn 完全硝化最小泥龄（d) SRT SRT=SF*1÷μn 完全硝化最小泥龄，仅对好氧池核算（d) tSS,aerob,dim SRT=SF*3.4*1.103^(15-T),仅对好氧池核算。[3]P23 本设计SRT取值（d) 污泥产量 基质浓度 (g　bCOD/m3) S S=Ks[1+Kd*SRT)/SRT*(μm-Kd)-1　[4]P679 细菌残体 Fd 0.08-0.20,typical 0.15 [4]P704 异氧菌生剩余污泥产量(Kg/d) A [QY(S0-S) ÷(1+Kd*SRT) ],[4]P683 细胞碎屑剩余污泥产量(Kg/d) B [fd*Kd*Q*Y*(S0-S) *SRT]÷(1+Kd*SRT) ],[4]P683 硝化菌生物剩余污泥产量(Kg/d) C Q*Yn* (NOx) ÷(1+Kdn*SRT),[4]P683 不可生化降解的VSS剩余污泥产量(Kg/d) D 进水无机SS累积量(Kg/d) E 化学除磷剩余污泥产量(Kg/d) Sp 剩余活性污泥产量 (Kg VSS/d) PX,bio (A+B+C),[4]P682 有机剩余污泥产量 (Kg VSS/d) PX,VSS (A+B+C