Lateral Epitaxy Overgrown (LEO) GaN 导热系数的数值研究.pdfVIP

第28卷第2期 工程热物理学报 V01．28．No．2 2007年3月 JOURNALOFENGINEERINGTHERMOPHYSICSMar．．2007 Lateral Epitaxy 导热系数的数值研究 于新月9 梁新冈0 (清华大学航天航空学院，传热与能源利用北京市重点实验室， 北京 100084) 摘要 利用修正的callaway模型对含杂质、位错、以及同位素的LEoGaN的导热系数进行了研究，计算表明同位 素对LEo GaN的导热系数影响较大，而位错和杂质大于一定值时其值才对导热系数产生影响。 关键词导热系数； GaN；驰豫时间 中图分类号：TKl24文献标识码：A 文章编号：0253—231x(2007)02_0307一03 NUMERICALINVESTIGATIoNoFTHERMAL IN LATERALEPITAXYoVERGRoWNGaN YU LIANG Xin-Gang Xin—Gang nansfer of and Conversion-The of q)epartnlentEngineeringMechanics，HeatEnergy KeyLaboratoryBe巧ingMunicipality j瞻jng由uaunjVersnMBeUjng100084，l：fhjna) ofLEOGaN AbstractUsingmodifiedCallawaymodelwehaⅣec“culatedthethermalconductivity with defbctsanddislocations．Theresultsshowedthat has inauenceon isotope，point isotopegreat thermal ofLEOGaN．Asforthermal ofdislocationand conductivity conductivityimpact impu“ty，it becomesnotablewhenthe ofdislocationand exceedsacriticalvalue． density impurity wordsthermal time Key conductivity；GaN；relaxtion 1引 言 量了完全接合以及部分接合的LEO在300K时的 导热系数为186忌210w／mK。Asnin等【5J得 III族氮化物的禁带宽度较大，可以用做短波发光 到GaN／sapphire的导热系数为170一180w／mK。 二极管以及激光器。Nakamura于1993年第一次生 长出了InGaN／GaN结构，此时材料的缺陷较多，即 GaN导热系数，他的计算存在两点不足，首先忽略 使是最好的氮化镓外延的缺陷仍达到10加cm一。