SiO,SiS分子基态(X1∑+)的势能函数与光谱常数的研究.pdf

No．1 第29卷第l期 原 子 与 分 子 物 理 学 报V01．29 OFATOMICANDMOLECULARPHYSICS Feb．2012 2012年2月 JOURNAL doi：103969／j．issn．1000-0364．2012．01．003 SiO。SiS分子基态(X1∑+)的势能函数 与光谱常数的研究 杨士玲，任廷琦，侯圣伟，秦宝钧 (曲阜师掩大学物理工程学院。曲阜273165) 摘要：根据群论及原亍分子反应静力学的有关原理，推导出SiO．SiS分子基态(X1∑+)的合理离解掇 限．使用密度泛函方法中的B3P SiO，SiS分子的基态进行结构优化计算。使用优选的B3P86／D95(3df，2pd)对基态单点能扫描计算．然后 用最小二秉法拟合Murrell—Sorbic函数，得到对应的势能函数参数及光谱常数．结果表明，采用Murrell- Sorbic函数计算所得的光谱常教与实验结果符合的很好，能精确地描述Si0，SiS分子基态的势能函数． 关键词：基态l密度泛函法IMurrell-Sorbie函数；势能函数；光谱常数 中图分类号：0561．1 文献标识码：A 文章编号：1000-0364(2012)01-0012·05 onthe functionand energy spectroscopic Study potential constantsforthe molecule state(X1∑+)ofSio，SiS ground YANG Bao—Jun Shi-Ling，RENTing—Qi，HOUSheng—Wei，QIN of and Normal 273165．China) (CollegePhysicsEngineering．QufuUniversity，Qufu electronicstatesofthe statedissociationlimitofSiO，SiSmoleculeare Abstract：The ground correctly determinedbasedon andatomicandmolecularreactionstatics．Thestructural theory group optimization forthe state(X‘∑+)ofSiO，SiSmoleculehasbeencalculated functional ground usingdensity theory B3PLY methodwiththebasissets andB3P86 6—311++G(3df，2pd)andD95(3df，2pd)．Thepoten— tialcurveofthe stateissc