ULSI用193nm光刻胶的研究进展.pdf

第22 卷第5 期 精 细 化 工 Voi. 22 ，No . 5 2 0 0 5 年5 月 FINE CHEMICALS May 2 0 0 5 电子化学品 ULSI 用193 nm 光刻胶的研究进展杂 郑金红，黄志齐，文 武 （北京化学试剂研究所 有机室，北京 100022 ） 摘要：从193 nm 光刻胶的各个组分，如：主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决 途径等多个方面综述了193 nm 深紫外光刻胶的发展与现状。 关键词：193 nm ；光刻胶；主体树脂；光致产酸剂；酸敏基团；溶解抑制剂；碱性添加剂 中图分类号：064 文献标识码：A 文章编号：1003 - 5214 （2005 ）05 - 0348 - 06 Progress of 193 nm Photoresist for ULSI Supporting Materials ZHENG Jin-hong ，HUANG Zhi-gi ，WEN Wu （Dep artment of Organic Chemistry ，Beij ing Institute of Chemical Reagents ，Beij ing 100022 ，China ） Abstract ：This paper describes the evoiution and status of the 193 nm photoresists in aspects of matrix resins ，photo-acid generator ，dissoiution inhibitor ，base additives ，existing probiems and ways of soiutions. Key words ：193 nm ；photoresist ；matrix resin ；photo-acid generator ；acid-iabiie group ；dissoiution inhibitor ；base additives Foundation item ：Support by the nationai high technoiogy research and deveiopment program of China （2002AA3Z1330 ） 光刻胶是集成电路制作所需的关键性材料，它随集成电 以KrF 激光为光源的248 nm 光刻，已可以生产256 M ~ 路的发展而发展，不断更新换代。根据摩尔定律：集成电路 1 G 的随机存储器，其最佳分辨率可达0. 15 m ，但对于小于 的集成度每18 个月翻一番。这使集成电路的加工线宽不断 0. 15 m 的更精细图形加工，248 nm 光刻已无能为力了。这 缩小，对光刻胶分辨率的要求不断提高。因为光刻胶的成像 时候需要193 nm（ArF 激光光源）光刻。国外有许多公司和 分辨率与曝光波长、曝光机透镜开口数成反比，所以缩短曝 科研单位从事193 nm 光刻胶的研究，取得了重大成果，已有 光波长是提高分辨率的主要途径。因此，随着集成电路的发 多种商品化的193 nm 光刻胶产品。本文就 193 nm 光刻对 展，光刻工艺也经历了从G 线（436 nm ）光刻， 线（365 nm ） 193 nm 光刻胶中各组分的要求及相关发展作简要介绍，供 ! 光刻，到深紫外248