反应熔渗法制备CCSiC复合材料及其影响因素的研究进展.pdf

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2015-09-20 发布于重庆
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21 1 Vol21, No1 2003 2 Powder Metallurgy Technology Feb2003 C/ C- SiC * * * 王林山熊翔肖鹏任芸芸 ( , 410083) : C/ C- SiC , , Si C/ C Si C C/ C- SiC , : ; C/ C- SiC ; C/ C Factors Affecting Properties of C/ C- SiC Composites Prepared by Reactive Melt Infiltration Wang Linshan, iong iang, iao Peng,Ren Yunyun ( State Key Lab for Pow der Metall rgy, Central So t h University , Changsha 410083) Abstract: Three main preparation methods of C/ C- SiC composites were review ed, incl ding chemical vapor infil tration( CVI) , liq id polymer infiltration( LPI) and reactive melt infiltration ( RMI) . RM I technology w as empha sized. Factors affecting liq id silicon infiltration into the C/ C poro s preforms, the reaction between liq id silicon and solid carbon, and the properties of C/ C- SiC composites were disc ssed. Crit ical iss es to be solved were p t for ward. Key words: reactive melt infiltration ( RM I) ; C/ C- SiC composites; C/ C poro s preforms [2, 4] 1 ( Reactive Melt Infiltration, RMI) C/ C- SiC( C/ SiC) , 12 C/ C- SiC [ 1] , C/ C- SiC , 1650 , CVICVI [2, 3] 1 [ 2, 4, 5, 6] , CVI LPI RM I (h) 300~ 1000 ~ 40 20~ 30 2 C/ C- SiC C/ C- SiC: (