pi界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响.pdfVIP

　第 36卷 第 6期 　 　　　　　　　　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　　 Vo l. 36　No. 6 　 2007年 12 月 　　　　　　 　　　 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S 　　　　　 　 　D ecem ber, 2007 p / i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅 太阳电池性能的影响 薛俊明, 韩建超 , 张德坤 , 孙 　建,任慧志, 管智贇,赵 　颖, 耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 ;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 ; 光电信息技术科学教育部重点实验室 ,天津 300071) ( ) ( ) 摘要 :本文研究了 p in 型非晶硅 aSi 太阳电池 p / i界面掺碳缓冲层 Cbuffer layer 沉积时间对电池效率和稳定性 的影响 。研究发现 ,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加 ,太阳电池的初始效率有所增加 ,当沉积时间增加到约 60 s时 , 电池的初始效率达最大值 ,而后随着沉积时间的继续增加 , 电池效率下降。而在太阳电池的稳定性方面 ,当缓冲层 沉积时间小于 50 s时 ,随着沉积时间的增加 , 电池衰退率增大 ;大于 50 s后 , 电池的衰退率又随沉积时间的增大而减 小 。 关键词 :非晶硅 ;太阳电池 ;缓冲层 ; p / i界面 中图分类号 : O47 　 　 文献标识码 : A 　 　 文章编号 : 1000985X (2007) Effects of A m orphou s S ilicon carb ide Buffer L ayer a t p / i In terface on the Perform ances of a S i : H Solar Cells X UE J un m ing, HAN J ian chao, ZHAN G D ekun, S UN J ian, R EN H u izh i, GUAN Z h iy un, ZHA O Ying, GEN G X in hua ( In stitu te of Photoelectron ic Th in Film D evices and Technology, N ankai Un iversity; Key L aboratory of Photoelectron ic Th in Film D evices and Technology of Tianj in; Key L aboratory of Op toelectron ic Inform ation Science and Technology,M in istry of Education , Tianj in 30007 1, Ch ina) (R eceived 22 J anua ry 2007, ac