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标签：无标签 0 【转】整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则 整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则 ? 　电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性，主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。 　　(一)整流二极管的主要参数　　1.IF— 最大平均整流电流。　　指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。　　2.VR— 最大反向工作电压。　　指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV.　　3.IR— 反向电流。　　指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR的影响很大。例如1N4000系列二极管在100°C条件IR应小于500uA;在25°C时IR应小于5uA。　　4.VR— 击穿电压。　　指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。　　5.tre— 反向恢复时间。　　指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。　　6.fm— 最高工作频率。　　主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。　　7.CO— 零偏压电容。　　指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。　　(二)稳压二极管的主要参数　　1.Vz— 稳定电压。　　指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。　　2.Iz— 稳定电流。　　指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。　　3.Rz— 动态电阻。　　指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为5mA时，Rz为18Ω;工作电流为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω ; 20mA则基本维持此数值。　　4.Pz— 额定功耗。　　由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mWo　　5.Ctv— 电压温度系数。　　是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的Ctv是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。　　6.IR— 反向漏电流。　　指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=O.1uA;在VR=6V时，IR=10uA。　　(三)选择二极管的基本原则　　1.要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管。　　2.要求导通电流大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。　　3.要求反向击穿电压高时选硅管。　　4.要求耐高温时选硅管。 系统分类: 模拟技术???|??? 用户分类: ???|??? 来源: 无分类 该用户于2009-1-1 12:45:56编辑过该文章 评论(0) | 阅读(28) 发表于:2008-12-30 20:27:15 标签：无标签 0 复试滤波 复式滤波电路常用的有LCГ型、LCπ型和RCπ 型3种形式,如图Z0715所示。它们的电路组成原则是,把对交流阻抗大的元件（如电感、电阻）与负载串联,以降落较大的纹波电压,而把对交流阻抗小的元件（如电容）与负载并联,以旁路较大的纹波电流。其滤波原理与电容、电感滤波类似,这里仅介绍RCπ型滤波。 ????图Z0715（c）为RCπ型滤波电路,它实质上是在电容滤波的基础上再加一级RC滤波电路组成的。其滤波原理可以这样解释：经过电容C1滤波之后,C1两