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一种新型场效应管电阻四象限乘法器 第六图书馆 场效应管 四象限 模拟乘法器内蒙古大学学报:自然科学版刘建华不详1993第六图书馆 第六图书馆 第=十四卷第五期 内繁古大学学报 ‘白拈科学版) 1993年 9月 V ．24 No．5 ActaScientiarum Naturallum UnJversJtat[sNe~M enggu SeD．1993 2一 一种新型场效应管电阻四象限乘法嚣 (电子工程学系) 丁f^／／够●／—一‘． 摘要 本文给出一种新型四象限模拟乘法器的实现电路．谖乘法器仅用了两只耗尽型场技应 管D-FET．的线性伏安特性．实现两信号相象．它具育非线性误差小 ．电路结构筒单等特点．萁 独到之处还在于-对乘法嚣进行了i晃差分析．并指 出了解决方法． 关茎圉资料分粪号TN432．T·N7．0TNT析OI ，舭 横拟 ee 引言 ‘ 4-QAM 在模拟信号处理中是不可缺少的重要部件．长期以来模拟乘法器的电路结构比较复 杂 ·非线性误差较大，分析困难．近几年来由于四象限模拟乘法器的应用越来越广泛。因此这项研究 十分活跃，在文献 [1)中Hong和 Melchior采用四个 FET、八个电阻设计的四象限模拟乘法器实现 ． 了两信号相乘。但是电路结构 比较复杂．由于所用器件较多．对器件的一致性要求高，误差分析困 难．文献 [2]中Hong和Melchior采用 sc技术 ．但是 由于使用多个开关．又需要时钟产生电路，电 路结构仍很复杂，上述两种模拟法器 ，由于所用器件多．电骼结构复杂、误差大、分析困难．采用 MOS技术实现单片集成化，占用芯片面积大．本文所设计的四象限模拟乘法器 ，仅使用 了二个 FET和二个电阻，电路结构简单 、分析方便、非线性误差小．利于采用 MOS技术实现单片集成化． 1 设计原理 本文所设计的4-QAM 电路结构如图1所示．四象限模拟乘法器可分为两个部分；其中一部分 是乘法器的核心，由两个特性完全一致的MOS管组成，另一部分由两个运算放大器和两个电阻构 成电流、电压变换． 第六图书馆 ． ， ● 田1 4．QAM 电菇圈 圈2 电阻 -‘QAM 电路圈 F 1 Circuitdiagram of ‘ AM Fig．2 Circuitdiagram of4-O．AM withm iso‘。 具体工作过程如下； - 收稿 日期 ·1991—08—3l 第五期 剖建华 一种新型场效应管电阻四象限乘法器 I 一KC(V 一V) 一 {) (1) rJ r L：= KC(O— Vr) 一 ) (2) — II