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固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InPInP外延材料的兼容性研究.pdf
第34卷第3期 人 工 晶 体 学 报 v。1．34N。．3
11堕：篁：堑旦 ：： =： ：：里些垒堕垒曼垒!萋圣墅望兰旦篁：g曼圣量坠望=： 』坚呈!!兰Q篁
on Quality
CompatibilityStudyGro啊ngHigh
ModulationGaAsandInP／InP
Doped Epilayersby
SolidSourceMolecularBeam
Epitaxy
Z础ⅣG
G配口n啦!，．媚U
mD五。昭一如愕1，财A临劢。凡一g配D1’2，XU加谬乒乃1
0f Fabricationfor NolllinearPhotonics
(1．neKeyLabomtoryAdv锄ced‰hniqIle蛐dweak一1ight Materials，
of 0fSe“conductor
MinistryEducatio矗，N8llkaiUniversity，7nanjin300457，Ch洫a；2．KeyLaborg【ory
Materials 0f of
Science，InstitIlteSemiconductors，ChineseAcade“IySciences，Beijing100083，China)
(胁删2蹦Mw2005)
AlGaAs／GaAs InP／InP havebeen
Abstract：The stmctures(MD—GaAs)and
modulation—doped epilayers
solid-sourcemolecular containedma—
grownby be锄epitaxy(SSMBE)system．Aftergmwingphosphomus
metllod
conditionswere deteriorated，but and
terials，gro叭h seriously byusingan印propriate optimized
conditionsviaHall electmn of1．86×105cm2／Vsformodulation．
growth measurements，77Kmobility
mGaAs／G以s for
stmctures，2．09×105c一／VsSi：AlGaAs／GaAsstmctures，4．57×
d叩ed 8-doping
104cm2／VsforInP／InP wereachieved．7IheresultsshowtllattheInP witht}licknessless
epilayers layer
materialt}le
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