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固相法制备低温烧结B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料.pdf
第16卷第5期 无机材料学报 Vol16.No5
2001年9月 Journalof Materials
Inorganic Sep,2001
文章编号:1000-324X(2001)05-0974-05
固相法制备低温烧结B203.P205一Si02系低介陶瓷材料
李 勃,岳振星,周 济,桂治轮,李龙土
(清华大学材料系新型陶瓷与精细I艺国家重点实验室,北京100084)
摘 要:采用传统的电子陶瓷生产工艺,制备出一种B203-P20s-Si02系瓷料.该体系材料
加入少量助烧剂可在900。C,空气气氛中烧结,获得低介电常数陶瓷.得到烧结体的介电常数
E茎5、介电损耗tan53x10~(IMHz),有望用于超高频叠层片式电感领域.
关键词:低介电常数;低烧结温度;片式电感
283
中圈分类号:TM 文献标识码:A
1引言
表面安装技术(SMT)越来越广泛的应用于电子工业中,其所需的表面安装器件(SMD)
也在取代传统的电子元件,成为电子工业的换代产品.片式电感作为不可缺少的一种表面
安装无源元件,越来越受到重视.在不同的使用频率范围内,叠层片式电感使用的介质材
料有所差别.在1GHz以下使用的电感,一般以软磁铁氧体为介质材料,在超高频(IGHz)
范围使用的叠层片式电感(MLCI),电感量一般为nH级,可用非磁性材料作为介质¨对这
种材料性能要求如下:
1.低烧结温度,9500C,并能与Ag或AIg-Pd导体浆料共烧
2.在空气气氛中烧成,不需保护气氛
3.低介电常数0曼5),减少信号延迟时间
4.低介电损耗,tan(5在10-3量级
目前使用的低温烧结低介陶瓷材料可分为三大类:结晶玻璃系【2】;玻璃+晶相填充料
的复合系刚J;非晶玻璃系.近年来人们把研究的重点放在玻璃+晶相填充料的复合系及
结晶玻璃系上,发展了多个体系的低烧低介材料.
B203一P20s—Si02系陶瓷令人感兴趣之处在于其具有很低的介电常数E,且介电损耗也
很低。tan5在10-3量级甚至可以更小.这些指标完全符合作为甚高频片式电感介质材料的
Mellon大学材料科学与工程系的R.HSU等人在1993年报
在1989年报道M美国Carnegie
道了使用氧化物溶胶.凝胶工艺合成B203.P205一Si02系玻璃和玻璃陶瓷(6,“.在陶瓷品相
中引入硼硅玻璃应可以有效的降低烧结温度.该体系本身为B20。一SiO。系,没有必要再通过
加入硼硅玻璃粉的方法实现降烧目的,更便捷的选择是在升温过程中直接得到硼硅玻璃,
牧穑日期:2000_09_11,收到修改稿日期:2000一lO一18
基金项目:国家。863。高控术资助项目(715Z33—006-0050)
作者简升z挛勃(1976_),男.博士研兜生
万方数据
5期 李 勃,等:固相法制备低温烧结B203一P205一si02系低介陶瓷材料 975
实现合成磷酸硼与熔化玻璃在烧结过程中同时完成.且利用磷酸硼晶相的析出克服玻璃流
动性强的缺点,保持原有的坯片形状.磷酸硼晶相析出还可以大大提高材料的耐水性.
本实验研究不经过熔制玻璃粉的过程,选用合适的原料,加入少量助烧剂,通过传统的
电子生产陶瓷工艺制备低温烧结的B203一P205一Si02系陶瓷材料.
2实验
配方混料,球磨,烘干,在400。C预烧,加入少量PbF2作助烧剂二次球磨.烘干,过筛,
得到所需瓷料;压片,烧结成瓷.
用差热分析仪对干凝胶进行差热分析(升温速率10。C/rain,空气气氛);X光衍射仪测
定不同处理工艺的微粉的x光衍射谱;用场发射扫描电子显微镜观察烧成样品的微观形
貌;用HP4291B阻抗仪测试材料介电性能.
3结果和讨论
3.1球磨介质的选择
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