大高宽比、高线密度X射线透射光栅的制作.pdf

第17卷第1期 光学精密工程 V01．17No．1 andPrecision 2009年1月 Optics Engineering Jan．2009 文章编号1004—924X(2009)01—0072—06 大高宽大局冤 比、高线密度X射线透射光栅的制作 柳龙华，刘 刚，熊 瑛，黄新龙，陈 洁，李文杰，田金萍，田扬超 (中国科学技术大学国家同步辐射实验室，安徽合肥230029) mm×1mlTl，周期为300nm．金吸收体厚度为 摘要：利用电子柬光刻、X射线光刻和微电镀技术，成功制作了面积为1 nm·厚 1“m的用于X射线显微成像的透射光栅。首先，利用电子束光刻和微电镀技术在Si3Na薄膜上制作周期为300 度为250am的高线密度光栅掩模；然后．利用X射线光刻和微电镀技术复制厚度为1肛m，占空比接近l：1。高宽比为7 的X射线透射光栅。整个工艺流程充分利用了电子束光刻技术制作高分辨率图形和X射线光刻技术制作大高宽比结 构的优点，实现了大高宽比、纳米尺度、侧壁陡直的X射线透射光栅的制作。 关 键 词：X射线透射光栅；电子束光刻；X射线光刻；X射线显微成像技术 文献标识码：A 中图分类号：0436．1；TN305．7 of and Fabrication high-_density high--aspect-·ratio transmission X—ray grating LIU Long—hua。LIUGang，XIONGYing，HUANGXin-long， CHENJie，LI Wen-jie，TIANJin-ping，TIANYang—chao and (National Radiation Science SynchrotronLaboratory，Universityof 230029，China) TechnologyoJ’China，Hefei transmissionwithanareaof1mmX1 mm，a of300nm，anda thick— Abstract：A grating pitch gold nessof1 umfor and is fabricated electronbeam X—rayimagingmicroscopysuccessfullybycombining maskin of300nm high—densitypitch lithography。X—raylithography，andelectroplating．Firstly，a an