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数值模拟pi界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响.pdf
第40卷第3期 人 工 晶 体 学 报 V01．40No．3
0FSYNlIHETICCRYSTALS
2011年6月 JOURNAL June．2011
数值模拟p／i界面对微晶硅薄膜
太阳电池性能的影响
苗丽燕，杨仕娥，李艳阳，陈永生，谷锦华，卢景霄
(郑州大学物理工程学院，材料物理教育部重点实验室，郑州450052)
ofMicroelectronicandPhotonic
摘要：采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis Structures)软件模拟了p／i界面缺陷
态密度(州1)和非晶孵化层厚度(d)对piIl型氢化微晶硅(妒-si：H)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明：随着
W1的增大，电池的开路电压k和填充因子即单调减小，短路电流L基本不变；随着d的增大，L和FF单调减
小，k反而增大；卅’和d值的增大均会导致电池光电转换效率叼下降。通过对电池内部的电场及能带的分析，对
上述模拟结果进行了解释。
关键词：微晶硅薄膜电池；p／i界面；光电转换效率 ～、
中图分类号：0469 文献标识码：A
NumericalSimulationoftheEffectsof Interfaceonthe
p／i
Performanceof SiliconThinFilmSolarCells
Microcrystalline
MIAO
Li-yan，YANGShi—e，LIYan-yang，CHENYong—sheng，GU以n-hua，LU．尼ng-xiao
ofMaterialsof of
(KeyLaboratory PhysicsMinistryEducation，
School0f and
PhysicsEngineering，ZhengzhouUniversity，Zhen瘩zhou450052，China)
201 23 201
(Rece／m／21January February1)
1，accepted
this effectsof interfacedefectstate thethicknessof
Abstract：In
paper，the p／i density(胖1)and
incubation the ofthe siliconthinfilm
amorphous layer(d)onperformancehydrogenatedmicmcrystalline
solarcellswasstudied was the of inUS．7rhe
AMPS，which
by developedby
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