锆钛酸铅薄膜的生长与表征.pdf

第21卷第11期 光学精密工程 Vol_2lNo．11 andPrecision 2013年11月 Optics Engineering Nov．2013 文章编号1004—924X(2013)1卜2893—07 锆钛酸铅薄膜的生长与表征 张 翊1，潘 峰1，包达群1，王建艳2～，郭航1’2。 (1．厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院，福建厦门361005； 2．厦门大学物理与机电工程学院，福建厦门361005) 摘要：研究了如何利用溶胶凝胶法制备锆钛酸铅(Pb(Zr。Ti．．)O。，PZT)薄膜．并对该薄膜的进行了表征测试。根据分 显微镜(AFM)对不同热处理温度和不同退火温度的PZT薄膜的形貌、成分进行了表征测试。在此基础上，采用微机电 系统(MEMS)T．艺．开发了可用于测试PZT薄膜材料特性的T艺流程与测试样品。然后，利用标准铁电测试仪对不同 热处理温度和不同退火温度的PZT薄膜的极化强度进行了铁电特性测试。结果表明，在400℃进行热处理，650℃进行 退火的条件下制备出的PZT薄膜其成分和形貌比较好。铁电特性较优，能够应用于MEMS器件与纳米器件的制造中。 关键词：锆钛酸铅薄膜；热处理；退火；铁电特性；溶胶凝胶法 中图分类号：0484．1文献标识码：A doi：10．3788／()PE．201321ll-2893 andcharacterizationofleadzirconate Growth titanate(PZT)thinfilms ZHANGYil，PAN Han91’2” Fen91，BAODa—qunl，WANGJian—yanl一，GUO S(’ien(‘eand SahInstitueMi{’YO—nano 361005，China； (1．Pen-Tung of Technolog+Y，Xiamen MechanicalandElectrical 2．Departmentof Engineering， Xiamen 361005，China) University，Xiamen *CorrP一户o”dj”gauthor，E-mail：hangguo@．Tinu．edu．CH sol— howto the films the Abstract：This Pb(Zr，Ti卜。)03(PZT)thinusing explores prepare by paper solu— a itteststhefJimcharacteristicsdifferentmethods．The methodon siliconsubstrate，then by gel tionwithdif