一种CuxSiyO阻变存储器的温度特性与微观机制分析.pdf

（ ） 第 卷 第 期 复旦学报 自然科学版 ５１ １ Ｖｏｌ．５１Ｎｏ．１ 　 年 月 （ ） ２０１２ ２ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＦｕｄａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ Ｆｅｂ．２０１２ 　 　 　 　 ｙ 文章编号： （ ） ０４２７７１０４２０１２０１００７１０６ 　　 － － － 一种ＣｕＳｉＯ 阻变存储器的温度 ｘ ｙ 特性与微观机制分析 ， ， ， 罗文进 胡倍源 杨玲明 林殷茵 （ ， ） 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海 ２０１２０３ ： ／ ／ ／ 摘 要 应用有效控制温度偏置的方法对基于 工艺的 结构的 阻 ０．１３ ｍ ＣＭＯＳ Ｔａ ＴａＮ Ｃｕ ＳｉＯ Ｃｕ １Ｍｂｉｔ 　 　 μ ｘ ｙ ， ： 变存储芯片进行开关性能和高低阻态导电性能的测试 介于 温度区间的统计结果表明 成功过 －４０ １２５℃ ｓｅｔ ～ ， ； 程所需加载电场能量随偏置温度升高而升高 成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而降低 高阻态 ｒｅｓｅｔ ——— ， 和低阻态随不同偏置温度呈现相似变化趋势 在－４０ ２５ ℃间阻值均随偏置温度升高而升高 在 ２５ ～ ～ ， 间均随偏置温度升高而呈下降趋势 针对以上现象提出了电学与热学结合的基于 的微观模型 由 １２５℃ ． ｆ