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2015-09-27 发布于重庆
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AuAuBe 与GaP 欧姆接触的表面分析

第 43 卷　第 5 期 ( ) Vol. 43 　No. 5 厦门大学学报自然科学版　2004 年 9 月 Journal of Xiamen University (Natural Science) Sep. 2004 　 ( ) 文章编号 2004 Au/ AuBe 与 GaP 欧姆接触的表面分析徐富春 ,林秀华 ,康俊勇 (厦门大学　物理学系 ,萨本栋微机电研究中心 ,福建厦门 361005) ( ) 摘要 : 用表面方法 SEM ,SAM ,XPS 研究了在不同温度热处理后 Au/ AuBe 与 GaP 接触的特性. 结果显示 ,AuBe 与 GaP 接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度. 经 550 ℃热处理过的界面均匀、平整 ,其 IV 特性斜率大 ,接触电阻 ( ) 小 ;经较高温度 580 ℃ 热处理过的表面有结晶团状物产生 ,晶粒变粗 ,接触电阻增大. AES 和 XPS 分析表明 ,经 540～ 550 ℃温度热处理后 ,界面生成 AuGaP 化合物 ;Be 原子由表面向界面扩散 ,在界面处出现最大值. 关键词 : AuBe/ GaP 接触 ;界面 ;表面分析 ;热处理中图分类号: O 484. 5 文献标识码 :A 　　　　　　　　　　　　　　　　　IIIV 族半导体作为光电器件、微波器件、红外实验所用的样品为双异质结液相外延片. 在 n 探测器中常用的材料至今一直是人们感兴趣的研究 GaP ( 111) 衬底上 ,通过液相外延过补偿 Zn 汽相掺课题. 为了提高 GaN 基器件的性能 ,获得 p 型 GaN 杂 ,形成 nn - p 型结构 , 其中 p 层厚度约 20 ～60 [1 ] 17 - 3 的良好欧姆接触 , 成为人们关注的热点 . 在 GaN μ N ≈2. 5 ×10 cm . 样品 m , 自由空穴浓度为NA D 和 GaP 制备过程中 , 当退火温度至接近其热分解温分别经有机溶液甲苯、丙酮、乙醇超声波清洗各度时 ,部分 V 族原子会向外扩散并逸出表面 ,在近 3 遍 ,置于 V ( SO ) V ( O ) V ( O) = 311 酸性腐 H H H