InP_GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备.pdfVIP

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2015-09-27 发布于重庆
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InP_GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备

18 10 2007 10 J ournal of Op toelectr onics Las er V ol. 18 N o. 10 O ct . 2007 * InP /GaAs 异质外延及异变InGaAs 光探测器制备* 1, 2* * 1 1 1 1 1 1 1 王琦 , 任晓敏, 熊德平, 周静, 吕吉贺, 黄辉, 黄永清, 蔡世伟 ( 1. , 100876; 2. , 100876) : InP , GaAs InP , InP 15 In0 . 93 Ga0.07 P/ InP ( SL S) , , , 2. 5 m InP X ( DCXRD) (F WH M) 219 a csec, InP ( PL) 42 meV, InP GaAs In Ga As PIN , 50 m 50 m, 0 . 53 0. 47 In Ga As 300 nm, 3 V 3 dB 6 GH z, 1550 nm 0. 53 0 .47 0. 12 A/ W, 9. 6% : ; InP ; ( SLS) ; : T N366 : A : 2007) InP/ GaAs Heteroepitaxy and Fabrication of Metamorphic InGaAs Photodetectors 1, 2* * 1 1 1 1 1 WANG Qi , REN Xiaomin , XIONG Deping , ZHOU Jing , LV Jihe , H UA NG Hui , 1 1 HUANG Yongqing , CAI Shi w ei ( 1. Key L abo ato y of Optical Communication Lig htwave Technologies, EMC, Beijing 100876, China; 2. Institute of Continuing Education, Beijing Unive sity of Posts and Telecommunications , Beijing 1000876, China) Abstract: Highquality InP epilaye s w e e g ow n on GaAs subst ates by using the ult athin low tempe atu e InP buffe lay e . A 15pe iod In0. 9 3 Ga0. 07 P/ InP st ained laye supe lattice( SLS) w as inse ted into the no mal InP laye s, which blocked the ve tical p