QS模拟器的Bias应用在Cell与Module.pdfVIP

QS 模擬器的Bias 應用在Cell 與Module(By-pass Diode)的注意事項 Cells 的測量: 1. 電池片的測量不可能沒有偏壓,因為電壓損失通常大於Voc 。 2. 過多的偏壓會導致延遲最終的取樣時間 。 3. 偏壓調整的敏感程度對於電池片來說更甚於模組 。 Module 的量測: 1. 模組測量對於bias 較不敏感 ，但是有一error 可能會發生 ，如果模組上的cell 不匹配的話 。(IV 曲線不是線性的靠近Isc) 2. 模組對於過多的bias 並不敏感 ，但是bias 不應該被調整超過4.5V ，這樣可能 會導致bias 的放大器損壞。 由上圖可以看出相較於bias 對於cells 的影響，module 的量測曲線變化差異相當 的小，但是還是要注意bias 的調整以及cells 的匹配狀況還有By-pass diodes 的影 響 。 By-pass diodes 的影響: 1. 如果使用了過多的bias ，by-pass diodes 將會開始作用 。 2. 一個by-pass diode 開始作用在約0.5V 的逆電壓.如果過剩偏壓超過0.5V ，會 有一個急劇上升的電流在電壓開始掃描的時候 。 3. 矽晶體模組通常有一系列至少3 個的by-pass diodes ，所以至少需要1.5V 的過 剩偏壓 。 4. 薄膜模組通常有一個low Isc (只需要一個很低的偏壓) ，而且只有一個by-pass diode ，所以會發生電流急遽上升的現象 。 5. 解決方法是降低偏壓 。  如果flash 的幅照峰值過低,也可能會造成相似於電流急遽上升的現象，這也 是一種不正常的電壓訊號。 四線式量測與二線式量測的關係: 量測時因為儀器會從短路測到開路，加上bias 讓短路電流的Voc=0 以及開路電壓 的Isc=0 ，才是最佳的量測方式 。 測量時如採用兩線式測量法會因為線阻的關係產生誤差，所以量測時會採用四線 式量測法 。