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YIG溅射薄膜的磁和磁光性能

重掺杂Bi:YIG溅射薄膜的磁和磁光性能 谢红辉1,刘颖力2,杨青慧2 (1.东北电力大学信息工程学院,吉林长春132012; 2.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054) 线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、磁光克尔仪/光学分度计、振动样品磁强计(VSM)分别研究了薄膜的 微结构、磁光性能和磁性能.薄膜的饱和磁化强度为135~139kA]m,不同基片上制备的薄膜的矫顽力不同,薄 透射率谱非常相似,当退火温度为800U时,在A1203基片上的薄膜透射率谱将出现一个台阶. 关键词:Bi:YIG薄膜;结构;磁性能;磁光性能 中图分类号:0484.4+3 文献标识码:A 文章编号:1001—3830(2007)04-0028-03 The and of YIG PropertiesHeavilyBi-Doped MagneticMagneto-optical FilmAnnealedRTAMethod (Bi:YIG)Sputteringby XIE Hong.huil,LIUYing~li,YANGQing—hui2 1.School Dianli 13201ZChina; University,Jilin oflnformationEngineering,Northeast 2.State Filmsand KeyLaboratoryofElectronicIntegratedDevices,University Scienceand 610054,China ofElectronic Technology,Chengdu Abstract:Inthis and of Bi:YIG film doped paper,themagneticmagneto-opticalpropertiesheavily sputtering beenstudied.Thefilmwas radio methodand have depositedby frequencymagnetronsputtering crystallizedbyrapid thattheR1’Atreatedfilmhas bothinmicrowaveand thermal resultsshow optical annealing(RTA).The goodproperties on froml35tol39kA/m.The waveband.Thesaturation ofthefilmdifferentsubstratesvaries magnetization coercivity ofthefilmondifferentsubstrateare rotationisabout when

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