光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的设计与kdh.pdfVIP

第33卷第2期 长春理工大学学报（自然科学版） Vol.33 No.2 20 10年6月 Journal of Changchun University of Science and Technology （Natural Science Edition） Jun. 2010 光抽运垂直外腔面发射半导体 激光器的设计与数值模拟 1 2，3 2，3 2，3 2，3 2 ，3 王菲 ，王晓华 ，刘向南 ，翁永超 ，房丹 ，方铉 （1.长春理工大学 光电工程学院，长春 130022 ；2.长春理工大学 理学院，长春 130022 ； 3.长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022 ） 摘 要：采用多周期应变补偿InGaAs/GaAsP 双量子阱结构的半导体器件作为增益介质，设计了光抽运面发射半导 体激光器件结构和实验光路。在谐振腔中引入分束棱镜保证了 VECSEL 表面的抽运光斑为圆形光斑。计算模拟了 输出功率与抽运光斑和输出镜反射率间关系曲线，优化设计了抽运功率为2W 时输出镜反射率并给出了相应的输出 功率与抽运功率间关系模拟曲线。 关键词：光抽运半导体激光器；垂直外腔面发射激光器；应变补偿双量子阱；分束棱镜 中图分类号：TN248. 4 文献标识码：A 文章编号：1672-9870 （20 10 ）02-0048-03 Numerical Simulation and Design of Optically Pumped Semiconduc- tor Vertical-External-Cavity-Surface-Emitting Lasers WANG Fei 1 ，WANG Xiaohua2 ，3 ，LIU Xiangnan2 ，3 ，WENG Yongchao2 ，3 ，FANG Dan2 ，3 ，FANG Xuan 2 ，3 （1.School of Photo-Electronic Engineering，Changchun University of Science and Technology ，Changchun 130022 ； 2.College of Science，Changchun University of Science and Technoloy ，Changchun 130022 ；3 National Key Lab on High Power Semiconductor Laser ，Changchun University of Science and Technoloy ，Changchun 130022） Abstract ：Multiple periodic strain-compressive compensated InGaAs/GaAsP double quantum well is used to be gain me- ( ) dium ，the design of vertical- external-cavity-surface-emitting lasers VECSELs wafer structure and the experiment of opti- cally pumped VECSELs beam path are presented. The beam splitter prism is introduced into the lasers oscillator so as to sure that pumped spot is circular on the surface of VECSEL wa