半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量.pdfVIP

26 物理与工程 　Vol . 17 　No . 1 　2007 物理实验 半导体硅的Seebeck 系数和电阻率测量 赵 　伟 　侯清润 　陈宜保 　何元金 (清华大学物理系 ,北京 　100084) ( 收稿 日期 : 摘 　要 　本文介绍了半导体硅的 Seebeck 系数和电阻率的测量 ,与 Hall 系数和电阻率测量实 验相对应 ,从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征. 由 Seebeck 系数的正负号 确定载流子的类型是 P 型还是 N 型. 半导体内有两种导电机制 :杂质导电和本征导 电. 在杂质导电区 ,可以确定晶格散射因子 ;在本征导电区 ,可以确定硅的禁带宽度. 关键词 　半导体硅 ; Seebeck 系数 ; 电阻率 SEEBECK COEFFICIENT AND EL ECTRICAL RESISTIVITY OF SIL ICON Zhao Wei 　Hou Qingrun 　Chen Yibao 　He Yuanj in (Dep art ment of Physics , Tsinghua U niver sit y , Beij ing 　100084) Abstract 　The exp eriment al met ho d and re sult s of mea suring t he Seebeck coefficient and elec t ric re si stivit y of semicon ductor silicon are int ro duced . Similar to t he mea surement of Hall co efficient , so me conduction p rop ertie s of silicon coul d be un der stoo d f ro m Seebeck coefficient in anot her p er sp ective . The char ged car rier s co ul d be di stingui shed to be Pt yp e or Nt yp e ac cor ding to t he sign of t he Seebeck coefficient . Two con duction mechani sm s , imp urit y conduc tion and int rin sic conduction , are found in semicon ductor . The lat tice scat t ering factor in t he imp urit y co nduction region and t he for bidden ban d widt h of silicon in int rin sic conduction re gion co ul d be det er mined . Key Words 　semiconductor silico n ; Seebeck coefficient ; re si stivit y β 他们分别用热压和等离子体烧结法制备出了 Fe Si 和 M