存储器技术复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟.pdfVIP

第 11 期 电　　子　　学　　报 Vol. 32 　No. 11 　2004 年 11 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Nov. 　2004 　 复合量子点MOSFET 结构存储器的电路模拟 闾 　锦 ,施 　毅 ,濮 　林 ,杨红官 ,杨 　铮 ,郑有　 (南京大学物理系和固体微结构物理国家重点实验室 ,江苏南京 210093) 　　摘 　要 : 　本文采用准经典近似的 Monte Carlo 方法对复合量子点 MOSFET 结构存储器的等效单电子电路进行了 模拟. 研究结果表明 , 由于台阶状的复合隧穿势垒的作用,存储器的存储时间特性可得到极大提高. 我们进一步研究了 N 沟道锗/ 硅复合量子点 MOSFET 结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 , 同时写擦时间可分别为μ s 和 ns 量级 ,从而这种新型的器件结构可以有效解决快速编程和长久存储间的矛盾. 关键词 : 　复合量子点 ; 单电子存储器 ; 电路模拟 中图分类号: 　TN3861 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2004) Circuit Simulation of MOSFET Memory Ba sed on Compo site Quantum Dots LV Jin ,SHI Yi ,PU Lin ,YANG Hongguan ,YANG Zheng ,ZHENG Youdou ( ) Department of Physics National Laboratory of Solid State Microstructures , Nanjing University , Nanjing , Jiangsu 210093 , China Abstract : 　The time characteristics of the composite quantum dots based MOSFET memory is simulated with the Monte Carlo method in quasiclassical approximation. It indicates that the retention time could be improved evidently owing to the stepwise compound potential barrier. As an example ,the time characteristics of N channel Ge/ Si heteronanocrystal based MOSFET memory is investigated μ and the retention time could be as long as several years ,at the same time ,the writing and erasing time can be in the order of s and ns ,respectively. Hence the conflict betw