AgOx掩膜的制备和性能研究.pdf

!!!————丝丝塑塑————』塑塑型坚竖 Ag(_)：掩膜的制备和性能研究。 张约品“2，阮 昊1，沈德芳1，干福熹1 中国科学院上海光学精密机械研究所，上海2叫800；2．宁渡大学光电子功能材料研究所·浙江宁波3152lI) 摘要：磁拉反应溅舯制备了Ag()。掩膜-用聚焦激光热效应 装置测得的光逢过特性．分析了Ag()，掩膜的开关性能。蛄果 表明，Ag()。掩膜在较低的温度作用下有良好的开关性能．反应 D／max2550v型x 了：显微镜分析热处理后Ag(L的成分结构。 Ag()，∞Ag+()2可逆．适用于LSC—superRENs光盘。用X—r8y 和TEM分析了热地理后的AE(1，薄膜的成分结构，表明200℃ 3实验结果与讨论 热处理Ag()，掩膜存在蚋米量扭Ag颗粒。 关键词：Ag(J。；反应溅射；掩膜 3．1 A—L掩膜开关性能的研究 中图分类号： TQ594 文献标识码：A 我们制各了与超分辩近场结构光盘的膜层”1相似的stN 文章编号：loo卜973l(2003}02一0156一02 热效应装置测碍的光透过特性．分析了Ag(j。掩膜的开关性能。 ] 引 言 用聚焦激光热效应测量的光透过率与半导体激光器功率关系见 ccn— A科)，薄膜在散射型超分辨近场结构(1ightscanering图2，激光束经透镜聚焦后到薄膜．半导体激光器功率是到达A西)， ler near—field supcr—resolutlonstructure．LSC-supc广RENS)光盘膜面表面处的功率。从图2可看出．光透过率随激光功率升高而增 中用作掩膜层”3。超分辨证场结构光盘能读取尺寸小于衍射极 大，但变化的斜率不同。半导体激光器功率从O．1～2．Omw光透 限的光斑。2_】，它无需近场距离控制装置。是将来实现超高逝度 过率变化较快，变化斜率大．2．Omw以后．光透过率变化趋缓． 光存储很有希望的一种技术。Ag(^掩膜层在过种结构光盘中变化斜率小，激光透过率变化斜率不同与Ag(L薄膜结构变化 起着关键作用。虽然有Ag【L的研究报道口。。．然而由于Ag有有关。随激光功率的升高．由于聚焦激光热效应的影响．受聚焦 多种价态，Ag()，化舍物的化学性质比较复杂。目前Ag(L掩膜激光辐照的区域温度随之升高。也即随激光功率升高Ag()，中 层的作用机理尚不很清楚．有待进一步深人研究。本文用碰控 反应溅射制备了Ag()，掩膜屡，用聚焦激光热效应装置测得的 透过率变化斜率大。随温度升高．分解产生的Ag的影响占主 光透过特性．分析了Ag()，掩膜层的开关性能。用x—ray和 TEM分析了热处理后的Ag()；掩膜的成分鲒构。 导，透过率增大变慢．变化斜率较小。我们制备的同 SiN 2实验方法 透过率与毕导体激光功率的关系曲线位置没有变化-说明反应 用磁挖反应溅射制备Ag【)，掩膜．样品衬底为∞0mm的 K9玻璃片。Ag靶的纯度为99096％．直径76mm、厚度3mm膜析出Ag和(k．当激光束移去之后．Ag叉与(k反应生成 的嘧盘。溅射的奉底萁空度3x101Pa，靶和衬底的距离约 Ag【)，。所以Ag()，掩膜层具有良好的开关性能，适用于I．sC 40mm。总气压l-oPa，其中氩气分压O．5Pa．氧气分压0．5Pa。 supe卜RENs光盘。 用聚焦激光热效应装置测量光透过率与半导体激光器功率 的关系，描此分析Ag)，日Ag+(工反应的可逆性及Ag(k掩膜的 开关性能。聚焦激光热效应测量光透过率的实验装置见图1。 S…㈣br 围2 光透过牢与半导体激光器功率的关呆