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Al2O3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制.pdf
第 卷第 期 半 导 体 学 报
24 1O VO1. 24 NO. 1O
年 月
2OO3 1O ~INESE JOURNAL OF SEMI ONDU TORS Oct . 2OO3
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2 3 栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制
Al 0
任 驰 杨 红 韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦
北京大学微电子学研究所 北京
( 1OO871D
摘要 利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在 衬底上制备了 栅介质层 研究了不同的溅射
: (1OOD 2 3
P Si A1 O
气氛和退火条件对 栅介质层物理特性的影响 结果表明 在较高温度下 气氛中退火有助于减小泄漏电
2 3 . : 2
A1 O N
流 在 气氛中退火有助于减少 栅介质中的氧空位缺陷 对 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 在
; 2 2 3 . 2 3
O A1 O A1 O
电子由衬底注入的情况下 泄漏电流主要由 发射机制引起 而在电子由栅注入的情况下 泄漏电流可能由
SchOttky
发射和 发射两种机制共同引起.
SchOttky Frenke1 POO1e
关键词 栅介质 泄漏电流输运机制 发射 发射
: 2 3 ; ; ;
A1 O SchOttky Frenke1 POO1e
EEACC : 256O
中图分类号: TN 386 文献标识码: A 文章编号: O253 4177(2OO3D 1O 11O9 O6
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