Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜的制备及其性能研究.pdf

第36卷 第4期 兵器材料科学与工程 Vol.36 No.4 2013年 7 月 ORDNANCE MATERIAL SCIENCE AND ENGINEERING July ，2013 网络出版时间：2013-6-24 8:42 网络出版地址：/kcms/detail/33.1331.TJ0842.001.html Bi Ce Ti O 电致阻变薄膜的制备及其性能研究 3.75 0.25 3 12 孙丙成，王华，许积文，杨玲 （广西信息材料重点实验室桂林电子科技大学材料科学与工程学院，广西桂林541004 ） 摘 要 采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO /Si 衬底上制备Bi Ce Ti O 电致阻变薄膜，研究退火温度对Bi Ce Ti O 薄膜结 2 3.75 0.25 3 12 3.75 0.25 3 12 构和介电、阻变特性的影响，分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明，所制备Bi Ce Ti O 薄膜具 3.75 0.25 3 12 有单一的钙钛矿晶格结构，不同退火温度Bi 4 6 Ce Ti O 薄膜的低、高阻态电流比I /I 在10 ~10 ，在600 ℃时有2.5 V 的 3.75 0.25 3 12 LRS HRS 最低V 电压。无论是高阻态还是低阻态，Bi Ce Ti O 薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大，介电损耗则随退 set 3.75 0.25 3 12 火温度的升高而减小，高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主，在高 阻态的高压区以空间电荷限制电流（SCLC）传导为主。 关键词 Bi Ce Ti O 薄膜；溶胶-凝胶；阻变性能；介电性能 3.75 0.25 3 12 中图分类号 TM242 文献标志码 Ａ 文章编号 1004-244X （2013 ）04-0019-04 PreparationPreparation an