CuCr1-xMgxO2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能.pdf

第20卷第5期 中国有色金属学报 2010年5月 ofNonferrousMetais 、，oI．20No．5 TheChineseJournal May2010 文章编号：1004—0609(2010)05—0898—05 李杨超，张铭，董国波，赵学平，严辉 (北京工业大学材料科学与工程学院，北京100124) 摘要：采用射频磁控溅射方法，在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCr02薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学 性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明：退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好，均为3R S／eta，比 型铜铁矿结构；薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大。当x--0．09时，样品的室温电导率可达6．16×10-2 未掺杂的CuCr02提高近400倍，且霍耳测试表明所制备的薄膜为P型导电体。电导率随温度变化关系表明：薄 eV。 膜样品在200～300K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律；当x0．09时，最低激活能仅为0．034 薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小。 关键词：CuCr02薄膜；CuCrl-xMgx02薄膜；光学性能；光学带隙：室温电导率；激活能 中图分类号：TN304 文献标志码：A andelectrical of Optical properties films CuCrl-xMgx02(0≤x≤O．09)thin LI Guo-bo，ZHAO Hui Yang-chao，LrHANGMing，DONG Xue-ping，YAN ofMaterialsScienceand (College Engineering，BeijingUniversityofTechnology,Beijing100124，China) Abstract：Aseriesof filmswere on substrates CuCrl埘gp2(O≤x≤O．09)thindepositedquartz usingradio丘equency andelectrical thinfilmswere magnetronsputtering．Thest邝ctIlres，opticalpropertiesofCuCro．91M90．0902 investigatedby indicates diffractometry，double-beamspectrophotometry，electricalpropertymeasurement，respectively．XRDpattern film thatallfilmsa托：of3R delafossite