CuZr-Si-NSi金属化系统制备及退火气氛对其热稳定性的影响.pdf

第 卷第 期 半 导 体 学 报 ， 25 12 Vol .25 No . 12 年 月 ， 2004 12 CHINEsE JOURNAL OF sEMICONDUCTORs Dec . 2004 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! Cu/ Zr-si-N/ si 金属化系统制备及退火气氛 对其热稳定性的影响 1 1 2 1 王 颖 朱长纯 宋忠孝 刘君华 （西安交通大学电子与信息工程学院，西安 ） 1 710049 （西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，西安 ） 2 710049 摘要：采用磁控溅射法在 型〈 〉晶向的 衬底上形成了 薄膜及 金属化系统 将 n 111 si Zr-si-N Cu/ Zr-si-N/ si . Cu/ Zr-si- 金属化系统样品分别在真空及 （体积比为 ）气氛中 退火 对 薄膜和退火后的金属化 N/ si H / N 11 9 800C 1h . Zr-si-N 2 2 系统样品进行 射线衍射、射线光电子能谱、扫描电镜、薄层电阻率及俄歇电子能谱测试与分析 结果表明， X X . Zr-si- N 阻挡层是以 晶体与非晶相 或其他 化合物的复合结构形式存在 经过两种气氛退火后的样品均没 ZrN si N si-N . 3 4 有发生阻挡层失效，但与真空退火相比， 退火气氛由于不存在残余 的作用而表现出较低的 膜薄层电阻 H / N O Cu 2 2 2 率及较好的Cu/ Zr-si-N/ si 界面状态. 关键词：扩散阻挡层；金属化；退火 ： ； ； PACC 7360D 7340 6630N 中图分类号：