CZTS薄膜太阳电池的研究及发展.pdf

CZTS薄膜太阳电池的研究及发展 自兴发毕，杨培志2 (1．楚雄师范学院物理与电子科学学院，云南楚雄675000； 2．云南师范大学可再生能源教育部重点实验室，云南昆明650092) 性能。C刁_s一般呈P型导电性，直接带隙为1．5eV。与太阳辐射匹配性好，在可见光范围内的光学吸收系数大于 104cm～，非常适合作为太阳电池的吸收层材料，有望取代ClGS成为下一代高效化合物薄膜太阳电池的典范。结合最 新研究进展综述了CZTS薄膜材料的不同制备方法及合成机理。并讨论了目前CZTS太阳电池研究中存在的问题和今 后的发展方向。 关键词：C刁．s；太阳电池；制备方法；研究进展 914．4 中图分类号：TM 文献标识码：A 文章编号：1002—087 X(2014)07—1390—04 Research ofCZTSthinfilmsolarcell progress ZI Pei一出i2 Xing—fal一．YANG andElectronic Normal Yunnan 675000,China； ∽DepartmentofPhysical Science，ChuxiongUniversity,Chuxiong ofEducation ofRenewable Normal Yunnan 2．Ministry Keylaboratory Energy,YunnanUniversity,Kunming650092,China) Abrstract：The to nontoxicandabundant 12-11-1V-V14 compound；its Cu2ZnSnS4(CZTS)materialbelongs quaternary inthe itscostislow．TheCZTSthinfilmsexhibit directband of1．5 Earth，and p—typeconductivity，agap eV，good solar 04 ofvisible issuitablefor with radiationand of1 cm～inthe matching highopticalabsorption range light，which materialsofsolarcellandhasthe to CIGSandtobethe ofnext absorbinglayer promisereplace examplegeneration thinfilmsolar different methodsand mechanismofCZTS of cell．The highefficiencycompound preparation synthesis materialswithreferencetothela