DPVBi为激子阻挡层的亚单层有机发光器件的制备与光电性能研究.pdf

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2015-09-29 发布于湖北
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DPVBi为激子阻挡层的亚单层有机发光器件的制备与光电性能研究.pdf

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第42卷第7期光子学报 v01．42No．7 2013年7月 ACTA PHOTONICASINICA 2013 July doi：10．3788／gzx0772 DPVBi为激子阻挡层的亚单层有机发光器件的制备与光电性能研究杨惠山，吴丽双，潘玉灼 (泉州师范学院物理与信息工程学院，福建泉州362000) 摘要：结合亚单层的有机发光技术，制备了一种多层有机电致发光器件，其结构为ITO／m～ MTDATA(50 nm)／C545T(0．05nm)／DPVBi(d 度，观察器件性能的变化，当DPVBi为4 nm时，器件在4V电压下最大发光效率是4．19cd／A，在 13V电压下最大亮度是17050cd／m2．分析对比了四种不同厚度器件的电流密度一电压曲线、亮度一电压曲线、电致发光光谱图和色坐标，发现选择合适厚度的激子阻挡层，可以得到效率较高的器件．激子阻挡层一般选择载流子传输能力较差，HOMO能级较低的材料．所得结果对有机发光器件尤其是采用亚单层有机白光器件的设计和制作有一定的指导作用．关键词：有机电致发光器件；亚单层；激子；亮度；效率中图分类号：TN383 文献标识码：A CombinedwithDPVBiExcton toFabricateand on Block—layer Study andElectronicPerformanceofthe OLED Optical Sub-monolayer YANGHui—shan，WU Yu—zhuo Li—shuang，PAN ((、ozzegPo厂P^ysics口稽d C^i，z口) Abstract：A devicewasfabricatedwith multipleorganiclightemitting sub—monolayertechnique， ofwhichthestructureisITO／m—MTDATA(50nm)／C545T(0．05nm)／DPVBi(dnm)／DCM2 (O．05 andDCM2 wereinsertedboth nm)／Alq(60nm)／LiF(1nm)／A1．C545T sub—monolayer onthe theDPVBisides．EffectofthethicknessvariationofDPVBi device was performance studied．AsthethicknessofDPVBiis4nm，thecurrentefficiencyis4．19 cd／Aat4Vandthe the lumin