EB-PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究.pdf

第35卷第12期 V01．35 合肥工业大学学报(自然科学版) No．12 HEFEIUNIVERSITYOF JOURNM。OF TECHNOLOGY 2012年12月 Dec．2012 Doi：10．3969／j．issn．1003—5060．2012．12．000 EB—PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究 潘训刚， 何晓雄， 胡冰冰， 马志敏 (合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥230009) 形貌、电学性能及其结构进行分析。结果表明：SiC薄膜越厚，表面平均粗糙度越低；退火温度越高，薄膜结晶 质量越好；对SiC薄膜进行辐照的光频率越高，光电流越大。 关键词：SiC薄膜；电子束蒸发物理气相沉积；原子力显微镜；扫描电子显微镜；X射线衍射 04 中图分类号：TN305．8文献标识码：A 文章编号：1003—5060(2012)12—1665 and ofSiCfilm EB-PVD Preparationproperties depositedby PAN MAZhi—min Xun-gang，HEXiao-xiong，HUBing-bing， (SchoolofElectronicScienceand of AppliedPhysics，HefeiUniversity 230009，China) Technology，Hefei Abstract：SiCfilmwas electron on depositedby beam-physicalvapor theSisubstrates．Thesurface andstructuresof film morphology，photoelectricproperties the were surface force diffraction analyzedby profiler，atomicmicroscopy(AFM)，current—voltage tester，X-ray (XRD)andelectron resultsshowthatthethickerthe scanning microscope(SEM)．The SiCfilm，the lowerthesurface ofSiCfilmcanbe with roughness；the crystallinequality improvedhigherannealing the incident