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P型透明导电SnO2薄膜的研究进展.pdf
第29卷第5期 真空科学与技术学报
2009年9、10月 CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY 531
P型透明导电Sn02薄膜的研究进展
倪佳苗赵修建’ 郑小林赵江
(武汉理工大学硅酸盐材料工程中心教育部重点实验室武汉430070)
Latest of OxideFilms
Conducting
ProgressP-TypeSn02Transparent
NiJiamiao，Zhao Xiaolin，Zhao
Xiuji肌’，Zheng Jiang
SilicateMaterialsien∞and
(研laboratoryof D画r嘶
430070，Ch／na)
Ministryof眈k砌l，Wuhan￡椭嘶ofTechnology，Wuhan
AbstractThelatestadvanceof oxidethinfdms。鹊oneofthewide-bandsemi-
p-typoSn02transparentconducting
conductor reviewedina andweaknessesofa of
materials，was thoughtprovokingway．Thegnengtlls varietyp-typeSn02
film basedchemical
route，were
growthtechniques，such鹪spraypyrolysis，magnetronsputtering，andsol—gel tentatively
alsofocused of of its
onfabrication
mlalyzed．Discussion homogeneousp-njunctionsby impurities，andpossible印一
doping
fdmwiththe of5．952D一1cm-。hasbeen
Sn02 grown．The
plications．Thep-type highestconductivity successfully high
madeofindium with nonlinearcurrent characteristicswerealso
tin戚de(ITO)films
qualityp-njunctious seod voltage
reported．
Oxide
KeywordsSn02film，P-typetransparentconductingfilm，Rev
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