VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析.pdf

第34卷第l期 人 工 晶 体 学 报 v01．34N。．1 ．．；!!墅!生兰旦 ，一—— !Q旦旦盟垒垦Q!曼!!卫里垦旦g曼!塑!璺!垒坚 !!坠璺!!翌：!塑! VHF—PECVD制备不同氢稀释条件下 硅薄膜特性分析 张晓丹，高艳涛，赵颖，朱锋，魏长春，孙建，侯国付， 薛俊明，张德坤，任慧志，耿新华，熊绍珍 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津30007l； 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津30007l； 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津300071) 摘要：本文集中报导了不同硅烷浓度条件下，制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明：随着 硅烷浓度的逐渐减小，材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收(兀1R)的测试结果表明：微晶硅材料 存在着自然的不稳定性，表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且，微结构因子(，R)的结果给出：对于适用于电 池有源层的微晶硅材料来说，其，R不能太大，也不能太小，本实验中相对好的微晶硅材料其厶为3l％。 关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积；微晶硅薄膜；傅立叶变换红外吸收 中图分类号：7rK51 文献标识码：A ofSiliconTllinFilm atDifferent A眦lysis Prepared Dilution_sVHF-PECVD Hydrogen by z础ⅣG尉。o一如n，GAD玩n一￡口o，z黝DK增，朋un增，聊现ong—c矗“乃，S硼，五on，册u G∞乒， xUE sh∞一zhen Jun—ming。zHANGDe—kun，RENH以一抵，GENGX讯一}mn。xIoNG ofPhoto—elec仃0nicsninFilmDevices锄d ofN锄kai (Institute TechniqIIe Unive巧i哆，Ti州in300071，China； 0fPhoto—electronics，nlinFilmDevicesand of KeyLaboratory Ti肌jin，Ti肌jin30007l，China； TechniqIle 0f InformationScience舳d KeyLaboratory0pt0一elec缸onic Technology(NaIlkaiuniversity，Tianjinunive玛畸)， Educati叫，Tianjin300071，china) Minis叼of (胁西删5撕2004) atdi丑brentsilane studiedwiththe Abstract：Samplesprepared concentrations(SCs)wereaIlalysis‘of electmnicandstmcturaL