α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长.pdf

第39卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v01．39N。．2 OF 2010年4月 JOURNALSYNTHETICCRYSTALs April．2010 化-A12 03衬底上6H-SiC薄膜 的SSMBE外延生长 康朝阳1，刘忠良1”，唐 军1，陈香存1，徐彭寿1，潘国强1 (1．中国科学技术大学国家同步辐射实验室，合肥230029；2．淮北师范大学物理与电子信息学院，淮北235000) 的样品的结构和结晶质量进行了表征。结果表明：在蓝宝石衬底上生长出了结晶性能良好的6H-SiC薄膜，且薄膜 中存在较小的压应力，这种压应力是由薄膜与衬底之间热膨胀系数的差异所致。 关键词：SiC薄膜；蓝宝石衬底；固源分子束外延 中图分类号：0484 文献标识码：A Growthof6H-SiCThinFilms Epitaxiai SubstratesSSMBE on口-A1203 by KANG Chao—yan91，LIUZhong—lian91”，TANGJunl，CHEN Pe增一shoul，PAN Xiang—CBnl，XU Guo．q／an91 Radiation Scienceand of (1．NationalSynchrotronLaboratory，UniversityTechnologyChina，Hefei230029，China 2．Instituteof andElectronic Normal Physics Information，HuaibeiUniversity，Huaibei235000，China) 10 4November (ReceivedJuly2009，accepted 2009) thinfilmshavebeen on solid—source Abstract：SiC epitaxiallygrowna—A1203(0001)substratesby molecularbeam structureand ofthefilmswerecharacterized epitaxy(SSMBE)．Thecrystallinequality withreflection electron energy diffraction(RHEED)，Raman hi．gh transforminfrared resultsdemonstratethat diffraction(XRD)．These spectroscope(Fr—IR)andX—ray filmswith are onthe the the6H·SiC goodcrystallinequalityepitaxiaUygrown sapphiresubstrates，and