三氧化钨电致变色薄膜最佳掺杂含量的理论计算.pdf

第 卷 第 期 光 学 学 报 ， 年 月 ， 文章编号： （ ） 三氧化钨电致变色薄膜最佳掺杂含量的理论计算 范志新 ） 潘良玉 ） 何良明 ） ( ），河北工业大学应用物理系，天津 ) ），郴州师范专科学校，郴州 摘要： 介绍电致变色薄材料最佳掺杂含量的定量理论。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结 构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方 程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个最佳掺杂含量的表达 式。分析三氧化钨电致变色薄膜材料的掺杂改性的实验结果，应用最佳掺杂含量表达式定量计算了三氧化钨以及 三氧化钼电致变色薄膜材料的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论方法也适用于其他材料 最佳掺杂粒子数分数的理论计算。 关键词： 电致变色；晶体结构；制备方法；最佳掺杂含量；理论计算 中图分类号： 文献标识码： 引 言 着色态等。还没有关于掺杂含量对电致变色特性影 响的定量计算的报道。 三氧化钨（ ）薄膜是典型的电致变色材料， 本文简单介绍作者从对透明导电薄膜材料研究 在节能薄膜和显示器件等领域具有重要的应用前 中得到的最佳掺杂含量定量理论，将该理论推广到 景，受到人们的重视而成为材料工作者研究的热 （或 ）电致变色薄膜，应用最佳掺杂含量 ［ ］ 点 。同对其他材料的研究一样，掺杂改性也是 的理论表达式定量计算了不同制备方法得到的 电致变色薄膜材料研究中的重要课题。已经 电致变色薄膜的最佳掺杂含量。 有了很多关于对 电致变色薄膜掺杂改性方面 的 、 、 、 、 和 等掺杂剂选择，真空蒸 理论简介 发、化学气相沉积、电子束蒸发、反应溅射、电化学沉 薄膜材料是由颗粒很小的晶粒组成的。这些晶 积以及溶胶 凝胶法等掺杂方法的比较，合理的掺杂 粒可能是单晶，也可能是多晶。对于某种电子材料， 含量的确定等实验上的研究。 适度的掺杂提供了更多的电子（或者空穴），提高了 长期以来，关于掺杂含量对 （或 ）电 材料的电导率。而掺杂过度，会发生杂质堆积，破坏 致变色薄膜材料特性影响，人们都是单凭经验，通过 晶体结构，反而降低了电导率。 实验来确定，并